Investigation of Crystallization Incorporation of Er-implanted Silicon

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＣｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎＩｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｏｆＥｒ－ｉｍｐｌａｎｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎＷａｎＹａ（万亚）；ＬｉＤａｉｑｉｎｇ（李岱青）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＹａｎｔａｉＴｅａｃｈｅｒｓ...     

100keV Ar~+、Ne~+轰击铜靶所产生的溅射原子角分布与离子入射角的关系

在40°和70°斜入射条件下,用100keV Ar~+、Ne~+轰击铜靶,Ar~+所产生的溅射原子角分布的溅射优先方向分别位于表面法线的两侧,溅射原子角分布对于表面法线明显不对称;而Ne~+所对应的溅射优先方向都位于表面法线方向,且溅射原子角分布对于表面法线是对称的。用级联碰撞理论分析了所得到的实验结果,并比较了Ar~+和Ne~+溅射机制上的不同。     

溅射负离子源靶的制作与使用

研究制作了多种溅射负离子源靶,在2×1.7MV串列加速器上采用Middleton-Ⅶ型溅射负离子源引出了流强大、稳定的30多种元素的负离子束。探讨了靶的材料、形状和尺寸等因素对束流质量的影响,以及如何通过控制铯蒸汽、电离器电流、靶压和靶位等来改善束流的质量,提高靶及电离器的寿命,降低源体的污染等。