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一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点. 相似文献
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在用样品电流法测量X射线磁性圆二色谱中,外磁场的存在严重降低了样品电流信号.针对合肥NSRL软X射线磁性圆二色实验站内置式可旋转磁铁设计并安装一个紧靠磁极的高压金网,来增强磁场下的样品电流信号.发现不同磁场下随偏压升高,样品电流信号迅速增强并趋于饱和;磁场越强,达到饱和需要的偏压越高;比较相同磁场和偏压下均匀氧化的Al箔和CoFe薄膜正反磁场下的吸收谱,发现加磁场和偏压引入的系统误差仅相当于Co的圆二色值的2.17%;表明用这种方法进行X射线磁性圆二色谱的测量是可行的. 相似文献
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K对InP(100)表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用同步辐射光电子能谱研究了K对P型InP(100)表面的催化氧化反应过程.对于O2/K/InP(100)体系的P2p、In4d和价带光电子能谱研究可知,在氧吸附的过程中,O和P、In之间发生了化学反应,O更易于与K在吸附过程中与InP(100)衬底之间的界面反应形成的K-P化合物中的P健合.碱金属K的存在并不直接和O发生作用,而是起到一种催化剂的作用,增加了电荷向氧传输的能力.使得O2的分解和吸附变得更加容易.在In4d芯能谱中,In-O之间的反应并不是很明显,而在价带谱中则可以明显地看到In-O之间反 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响.通过P2p、In4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N2/Na/N2/Na/N2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氨化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半 相似文献
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用光电子能源谱技术(XPS和UPS)研究了金属Cs和Na与GaAs(100)的界面形成。实验结果表明,Cs和Na吸附在GaAs(100)表面时,衬底As向外扩散,形成混合相。在Na吸附的表面,As扩散程度比Cs吸附的表面大。随着复盖层厚度增加,吸附层开始金属化。 相似文献
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利用同步辐射光发射研究了Sm/GaAs(10)界面形成.高分辨的芯能级谱结果表明,在低覆盖度下(<0.1nm),Sm与衬底的作用较弱,形成较突出的金属/半导体界面.当Sm的覆盖度增加时,As和Ga的表面发射峰很快消失,表明Sm与Ga发生置换反应而与As形成化学键.同时,Ga原子会向Sm膜体内扩散且偏析到Sm膜表面,而As-Sm化合物只停留在界面区域.当Sm膜厚度达到0.5nm时,Sm膜开始金属化.结合理论模型,文中还详细地讨论了界面形成和界面结构. 相似文献
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Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构 总被引:2,自引:1,他引:1
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(100)表面的吸附。当吸附厚度小于0.47nm时,界面反应弱;在0.47 ̄0.9nm范围内,界面反应变得强烈;大于0.9nm时,界面反应停止。在吸附过程中Gd4f首先是一单蜂结构,随着Gd的增加,Gd4f演变为双蜂结构。根据对实验数据的分析,认为Gd在反应层上以团簇的形式吸附。 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47~ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd的增加 ,Gd 4 f演变为双峰结构。根据对实验数据的分析 ,认为Gd在反应层上以团簇的形式吸附 相似文献
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采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进行了研究。结果表明,薄膜面内存在压应变,同时发现薄膜晶体质量在远离薄膜和衬底界面区会逐渐变好。GID和X射线衍射的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的扭转大于倾斜,说明SiC薄膜在垂直方向的晶格排列要比面内更加有序。 相似文献