无位错Si单晶剖析(三)

一、引言 近年来,国内外研究者对无位错Si单晶中的微观缺陷,都十分重视,已发表了比较系统的研究报告。应当说,无位错晶体的制备成功,这标志着科学研究工作向完整的理想的晶体已经跨进了一大步了。相对于有线缺陷的有位错晶体来说,无位错晶体的结构已比较完整了,但是,它的晶格还不是完整无缺的。到目前为止,人们借助于腐蚀法,X光貌相术,透射电子显微镜等手段,发现无位错Si单晶中还存在有结构缺陷,如位错环、生长条纹、杂质团、空位团以及不希望的杂质O,C,N等。上述这些发现,给科技工作者又提出了新的任务,要继续向完美晶体结构进军。国内在这方面的工作已有进展,都观察到了Si晶体中有严重的微观缺陷,并积极进行探讨。从目前来看,国际上在研究工作中所借助的手段有:(1)腐蚀法,(2)红外显微镜(IRM)配以缀蚀工艺,     

无位错硅单晶剖析(一)

本文通过实验观察,研究了Dash缩径工艺中迭结面位错延伸消失的特征。指出位错随晶体生长而延伸的形式有沿{111}的滑移、<111>的攀移和二者兼并之。依据实验所进行的理论分析指出: 滑移延伸时 ι〔111〕ψ≥φctgβ 攀移延伸时 L〔111〕ψ≥φtgβ 兼并延伸时 ι+L>ι>L 式中ι、L是长度,φ是直径,β是偏角ψ和方位角ψ_1的函数。     

县、镇(乡)、村调频电视共缆传输方式的探讨

我国的农村有线广播是有中国特色社会主义的组成部分之一,是保证从中央、地方到农村千家万户信息畅通的重要途径。近几年由于村镇建设快,新建房屋多,乡镇撤扩并,加上电视事业的迅猛发展,有线广播入户率下滑严重,有些村的广播喇叭形同虚设,成了“哑巴”。而从广播作用的现实需要上,巩固和发展有线广播是十分必要的,农民了解国内外时事政策、天气预报、农技知识、经济信息,特别是镇上村里的事,主要还得靠广播。由于有线电视的迅速发展,已进入农     

无位错Si单晶剖析(二)

一、引言 报导C·Z法和F·Z法生长无位错Si单晶的早期作者,都未报导过外形表征,如鼓棱(ridge-like bulges)。后来,国内外有关文献虽然也叙述了外形特征和现象,但对于结晶过程的微观机理都未讨论过。到了七十年代,西泽润一寺崎健等人对Si(111)原子排列优先方向的讨论,和T.F.Ciszek对F.Z晶体鼓棱的分析,才初步对微观机理问题有了一些认识。国内,近年来对此问题也有些看法,认为鼓棱是倾斜的(111)小平面的生长、合适的应力作用等等。迄今为止,国内外对此问题并无文献系统地分析和总结,同时在实际工作中又出现许多现象,用现有文献的分析结论是无法解释的。例如,无位错Si单晶有时无鼓棱、有时鼓棱处又呈晶带状、有时晶体呈蛇形,而且有时鼓棱有一条、两条或三条,甚至有六条之多。以上这些现象,仅用目前的观点对(111)上Si原子排列结晶动力学的特性是无法解释的。本文则是考虑〔111〕生长对(111)上各晶向Si     

中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究

用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。