触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响

实验测试了触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响;建立了满足光导开关触发光脉冲参量的光生载流子速率方程,并模拟出光生载流子浓度随触发光脉冲、脉冲宽度的变化规律,分析了光脉冲对光电导开关响应速度的影响及引起输出电脉冲上升沿变化的原因.     

光电导开关非线性模式下光电延迟现象分析

报道了在高偏置电压下半绝缘GaAs光导开关进入非线性模式并产生光电延迟的实验结果.分析了非线性模式下光电延迟现象,指出半导体材料深能级杂质的俘获作用是产生光电延迟的主要原因;计算了由于电荷畴传输引起的光电延迟时间,得到与实验相吻合的结果.     

半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探

为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。     

P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用

用两组能量围绕P和In K壳层结合能上下的同步辐射单色X光对InP单晶[100]表面进行辐照.结果表明,无论X光子被P原子K壳层吸收还是被In原子K壳层吸收,InP单晶[100]表面P原子芯能级2P电子态变化明显.P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面辐射损伤增强因子分别为4.4×10-6kg/C和3.1×10-5kg/C.     

基于GaAs光导开关的THz超宽带反隐身雷达研究

THz超宽带电磁波照射隐身目标时,由于其极宽的频谱,使得目标的吸波涂层及外形设计均失去作用,因此是反隐身的有力武器.基于半绝缘GaAs光导开关的THz源是目前实用性最高最有前途的THz源之一.文中分析了THz超宽带雷达反隐身的原理,基于半绝缘GaAs的PCSS's获得THz脉冲的方法以及对THz脉冲的发射、接收及信号处理等问题.     

重频光脉冲对半绝缘GaAs光导开关损伤分析

通过波长为1 064 nm的重频激光光脉冲触发半绝缘GaAs光导开关损伤测试实验,观察脉冲激光触发过程中光电导开关电阻率的变化,对比低重频(1 kHz)和高重频的激光脉冲对GaAs光电导开关芯片的损伤阈值,分析了不同重复频率的激光脉冲引起光导开关芯片材料光损伤的主要原因,并探讨了损伤机理。研究表明,在重复频率激光作用下GaAs光导开关芯片材料的破坏阈值比在单脉冲作用下低,且不同重复频率的激光辐照下材料表面的温升速率不同。当激励光脉冲重复频率较低(1 kHz)时,芯片内的温升效应不显著,此时光损伤与重复频率无明显依赖关系,主要损伤机制为微损伤累积;而当重复频率较高时,开关材料内热积累引起的损伤占主要地位。     

半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探

为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。     

一种复合左右手结构的宽频带微带天线

提出了一种新型的基于复合左右手(CRLH)结构的微带天线,其结构单元绕天线贴片中心周期排列.讨论了天线各结构参数的变化对天线辐射特性的影响,并对其进行了全波仿真和优化,结果显示该天线相对带宽达到26%,半功率波瓣宽度达到±45°.     

用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的奇特光电导现象

报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2.0和6.0kV/cm时,用脉冲能量为0.8mJ,宽度为5ns的激光触发开关,观察到开关输出的线性和非线性工作模式.当偏置电场增至9.5kV/cm,触发光脉冲能量在0.5～1.0mJ范围时,观察到奇特的光电导现象,开关先输出一个线性电脉冲,经过大约20～250ns时间延迟后,触发光脉冲消失,开关又输出一个非线性电脉冲.这一奇特光电导现象的物理机制与半绝缘GaAs中的反位缺陷和吸收机制有关.分析计算了线性与非线性电脉冲之间的延迟时间,结果与实验观察基本吻合.     

半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较

从量子力学的微扰理论入手,总结并比较了半绝缘GaAs光电导开关中主要的散射机制的散射率表达式和散射终态,给出了所选择的散射机制下的模拟结果及其分析.