Tore Supra上非感应电流分布的确定

产生稳态非感应放电是Tore Supra首要目标之一。在此托卡马克上，分别用快波电子加热（FWEH）和低混杂电流驱动以可重现方式实现了各种类型的放电。在第一种情形中，用5MW的FWEH功率获得了50%的自举电流。在第二种情形下，电流由3MW的LH功率产生并持续几乎两分钟。用取决于时间顺序平衡和平行传导率预测的实验方法确定这些情形下的非感应电流密度分布。用这种方法，自举电流预测是有效的。然后用射频和电流驱动加热确定改善的约束状态下的不同类型的非感应电流分布是可能的。     

在新闭合偏滤器Ⅱ位形下ASDEX—U H模式放电的运行极限

报道了对ASDEX－U新闭合偏滤器Ⅱ的加气，高密度H模式放电的系统研究，重点放在很宽的外部可控等离子体参数范围内的运行极限（H－L转变，密度极限）上，发现，当接近高密度时，H模式阈功率大大超出普遍认可的预言Ph^th ncBt。在接近H－L模反转变时，获得了最高密度（密度极限）。该密度极限通常与偏滤器的完全脱离有关。为了基于脱离的模型和Greenwald极限，研究并讨论密度极限定标。     

等离子体加工用的感应等离子体

因为在单一晶片蚀刻工具中要求高等离子体密度和低压力，所以已经和正在研制大量商业出售的感应蚀刻装置。本文回顾低压力感应等离子体的一些历史，给出感应等离子体的特性。限制及校正，并介绍等离子体加工的用途，也讨论了趋肤深度，ｒｆ线圈阻抗和效率的理论。     

用主动控制压力分布实现现JET准稳态内输运垒运行

在JET托卡马克内钻运垒(ITB)情况下已实现了准稳态运行，其放电时间只受到装置制约的限制。在整个高性能阶段使用低混杂电流驱动获得了全电流驱动，分别用中性束和离子回旋波实现了对总压力和电子温度分布的首次反馈控制。虽然杂质累积在稳态ITB中可能是一个问题，但是这些实验会产生解决这个问题的一些方法。     

TRTR上高β破裂的气球不稳定性前兆

在ＴＦＴＲ的许多状态下发现作为高β破裂的前兆的环向定域气球模。低频，全球磁流体动力学（ＭＨＤ）活性，即一般为理想的ｎ＝１扭曲模型引起环向定域，较大幅度ｎ＝１横导致气球模明显的环向定域，这些模一般定域在环向方向约９０°－１２０°范围的区域。     

螺旋性注入环（HIT—Ⅱ）上的电流驱动实验

螺旋性注入环[HIT—Ⅱ：T．Jarboe et al.，Phys.Plasmas5，1807(1998)]是一个能够进行感应(欧姆)和同铀螺旋性注入(CHI)电流驱动的小环径比托卡马克。虽然HIT—Ⅱ装置的尺寸是中等的(大半径R＝0．3m，小半径a＝0．2m，轴上环向场达到0．5T)，但已证明分别采用CHI或感应都能达到200kA的环向等离子体电流。环电压、边界通量和等离子体平衡可通过实时通量反馈系统控制。在电流斜升和衰减期间HIT—Ⅱ欧姆等离子体呈现出重连事件，这些事件在保持磁螺旋性的同时可弛豫电流分布。已研究了一种采用双零偏滤器(DND)边界通量的新的CHI等离子体运行工况。DND CHI等离子体显示出良好的逐次放电再现性，低的杂质含量，吸收器区的最小的缩减电流以及与大闭合通量芯部区[EFIT:L.Lao et al.,Nucl.Fusion25，1611(1985)]一致的EFIT重建平衡。HIT—Ⅱ DND CHI放电在外中平面也显示出连续的n＝1模，实验上这种模与电流分布弛豫有关。已对螺旋性注入电流驱动的详细解释进行了研究，研究结果与HIT和HIT—Ⅱ放电的实验观察结果一致。按照此机理，n＝1模结构的非对称变形通过发电机作用在芯部等离子体产生电流驱动，从而弛豫CHI驱动的电流分布。     

RF放电中对低损伤等离子体处理的离子能量的控制

一种控制离子能量的新技术建立在用一个辅助等离子体源把电子从外部注入到民容耦合的ｒｆ等离子体的基础上。外部注入的电子以代携带ｒｆ电流的等离子体电子，然后重建ｒｆ鞘，其中离子被加速。实验是用一个配有一个磁控管放电等离子体源的平行板ｒｆ等离子体装置来的，此源安装在网状接地电极的后面。     

2002聚变夏季研讨会实施概略

2002聚变夏季研讨会于2002年7月8—19日在哥伦比亚的斯诺马斯举行。这次研讨会对包括磁聚变能(MFE)和惯性聚变能(IFE)的聚变能科学规划的下一步主要工作进行了批评性的评估。这次研讨会的结论是基于由60多位会议召集人领头同上百名聚变能科学界成员共同工作8个多月所得出的分析上的。250多名美国和30多名国外聚变物理学家和工程师出席了这次研讨会。研讨会经过两周的广泛讨论而结束。本文是研究报告的实施概略。细节公布在http://web.gat.com/snowmass上。