工业α-Fe辐射损伤的穆斯堡尔研究

在用离子注入技术研究各种固态材料改性中,辐射感生缺陷愈来愈为人们所重视。用穆斯堡尔谱学研究某些辐射损伤过程,如库仑激发、放射性衰变等,可以提供别的方法无法得到的信息。用不同剂量下能量为8MeV     

12MeV电子辐照在硅器件中的应用

在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多有关高能加速电子辐照硅功率器件以控制少子寿命的文章.我国自1980年以来,也有一些高校、研究所和工厂对能量如1.3MeV和3～5MeV的电子辐照进行了研究,并初步用于某些硅功率器件生产线上.全面衡量各参数,12MeV电子辐照比低能电子或Co-γ辐照更有利于器件全面参数的最佳化.特别对于快速     

10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。