STUDY OF POSITRON ANNIHILATION ONE DIMENSION ANGULAR-CORRELATION RADIATION ON POLYCRYSTAL Na~+ CONDUCTOR Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)

With positron annihilation radiation onedimension angular-correlation device,it ismeasured that positron annihilation radiationone dimension angular-correlation curves ofpolycrystal sodium ion conductor Na_5Y_(1-x)Cr_xSi_4O_(12)(NYCS)system.After electronmomentum distribution curves arenormalized,linear parameters arecalculated.The parameters H,W and Sshow the change of Na~+ ion vacancyconcentration in NYCS series samples.Theresults show that parameters H,W and S ofone dimension angular-correlation curves ofthose samples vary greatly with Cr_2O_3contents.With Cr_2O_3 content increasing,Hand S parameters increase,but W decreases,and reaches extremes at x=0.05;then withCr_20_3 adding continually,parameters H andS decrease gradually,parameter W increasesgradually.This shows that,in addtion toCr_2O_3,the conductivity has close relation     

碱金属Cs和Na与GaAs(100)界面相互作用的光电子能谱研究

用光电子能源谱技术（XPS和UPS）研究了金属Cs和Na与GaAs（100）的界面形成。实验结果表明，Cs和Na吸附在GaAs（100）表面时，衬底As向外扩散，形成混合相。在Na吸附的表面，As扩散程度比Cs吸附的表面大。随着复盖层厚度增加，吸附层开始金属化。     

正电子湮没辐射一维角关联实验装置的研制及性能

本文介绍正电子湮没辐射一维角关联实验装置的设计原理、主要技术性能和特点、调试方法及实验结果。本装置的角分辨率为0.45mrad。     

金属夹层对Ge／GaAs（100）能带偏离影响的研究

用光电发射的方法研究了碱金属Ｎａ和碱土金属Ｍｇ对Ｇｅ．ＧａＡｓ（１００）异质结构形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Ｎａ和Ｍｇ的薄夹层可使Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的价带偏离分别增加０．１９和０．１８ｅＶ。通过Ｎａ，Ｍｇ和Ａｌ夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。     

Cs／InP（100）界面相互作用性质的研究

我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性．ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散．当Ｃｓ的覆盖度大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩散，且Ｃｓ与Ｐ发生弱的化学反应．饱和吸附的Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面在不同温度退火时，一部分Ｃｓ脱附，一部分仍留在ＩｎＰ体内．     

碱金属Cs和InP(100)界面电子结构的研究

用光电子能谱技术（XPS和UPS）研究了碱金属Cs和InP（100）的界面形成和退火效应。实验结果表明，在覆盖低于0．5ML时，Cs和InP（100）形成突变界面。当覆盖度增加后，Cs－In产生置换反应，界面形成混合相，退火后，Cs一部分脱附，一部分与In产生置换反应而留在InP体内。     

慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为

用慢正电子探针分别检测了Ｐ＋注入和Ｐ注入Ｓｉ（１００）的两组样品。与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＋和Ｐ注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。     

利用标准样品的寿命谱确定谱仪分辨函数的方法

本文叙述了当谱仪的时间分辨函数可以用单高斯曲线近似时,利用仅含一个寿命成份的标准样品寿命谱的分析确定寿命谱仪在正电子条件下分辨函数的方法。