陶瓷中子管

本文介绍了一种采用陶瓷绝缘外壳和自持靶的陶瓷中子管。D-T反应中子产额可大于10~9ns~(-1),D-D反应中子产额可大于10~7ns~(-1)。使用寿命已超过500h。     

关于低气压小电流Penning离子源质子比的研究

本文证实了在低气压小电流Penning放电中也能得到较高的质子比。设计了一种Penning离子源,外径可小到25mm,在5×10~(-5)mmHg气压和200～400μA放电电流下,质子比达到30～50％。较好地满足了小型密封中子管的需要。 通过实验研究了气压、阳极电压、阳极筒直径、磁场强度、复合系数等参量对质子比的影响,找到了提高质子比的有效途径。使离子源工作在低气压模式的上限(～1×10~(-4)mmHg),增大磁场强度,同时适当减小阳极筒的直径有利于提高质子比。