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1.
一、引言等离子体化学气相沉积(PCVD)在集成电路元件,光导纤维,太阳能电池等领域中已得到广泛应用。近年来,用PCVD 或加热丝的化学气相沉积法,合成金刚石和金刚石膜取得了世人注目的进展。由于低压合成金刚石获得成功的启发,用类似方法制备立方BN 膜的研究也已  相似文献   
2.
采用了外加热式直流等离子体化学气相沉积及渗金属工艺并在放电工件上直接测温的方法,克服了离子轰击加热引起的温度不均匀等因素并且膜的结构及力学性能得以改善。  相似文献   
3.
本文是用JEM-2000EX型电镜,对射频等离子体沉积的TiN薄膜进行具体分析,从而得到TiN的形貌及晶体结构。  相似文献   
4.
本文用直流等离子体化学气相沉积技术在高速钢,Cr_(12)、40Cr、GCr15、38CrMoA1氮化、40Cr渗硼、合全钢喷涂镍基合金的试块上沉积了TiN涂层。对各基材上沉积的TiN涂层进行了晶体构造、表面及断口形貌、针孔率及硬度测定和分析。  相似文献   
5.
用直流等离子体化学气相沉积法沉积TiC、TiN、Ti(CN)以及钛的复合涂层。对在高速钢和硅基体上所得的各种钛化合物膜做了晶体结构分析、表面形貌分析、断口结构分析和显微硬度分析等。试验表明:在沉积温度600℃左右,所得的多种Ti(CN)涂层有很高的显微硬度和良好的粘接力。这些涂层有的是由TiC和TiN两种晶体组成,有的是由TiC、TiN和Ti(CN)三种晶体组成。部分Ti(CN)的结构非常细密,是由多种晶体组成的混合物。  相似文献   
6.
在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(|||)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件下,都可得到高度定向的TiN膜。研究了等离子体化学气相沉积中形成高度定向膜的条件及原因。  相似文献   
7.
本文报道中试规模的直流等离子体化学气相沉积氮化钛(PCVDTiN)工艺及设备。设备外形尺寸为φ700×700mm,有效镀膜区为φ450×500mm。在此区域内,温度不均匀性小于20℃,TiN膜厚不均匀性小于15%。对TiN膜的硬度、生长速率、显微组织、晶体结构以及TiN膜的成分进行了研究。经测试及实际应用证明,高速钢麻花钻头用本工艺涂镀TiN膜后,可提高寿命8.3倍。其它刃具、模具、轴承等涂镀TiN后寿命也明显提高。  相似文献   
8.
<正> 引言在刀具上沉积TiN、TiC或其复合镀层,可大大提高它们的使用寿命。在硬质合金刀具的国际市场上,带镀层的刀具已占有重要的地位。到目前在止,镀超硬膜的主要方法是化学气相沉积(CVD)。因为它的工艺成熟,适于大批量生产。但这种技术有两个显著的缺点:(1)沉积时温度高,要在1000℃左右,所以只能用于硬质合金刀具上。  相似文献   
9.
研究了四氯化钛、氮气、甲烷通入量对 PCVD 法沉积 TiN、TiCN 涂层硬度、沉积速率以及颜色的影响,进行了磨损试验。结果表明,不同色泽的 TiN 膜中,以金黄色 TiN 涂层硬度最高,磨损量最小。  相似文献   
10.
用X-衍射的方法分析了影响射频等离子体沉积择优取向的TiN膜,取向的原因。  相似文献   
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