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1.
通过对低铌新锆合金板材的蠕变性能数据和变形亚结构的分析,探讨了低铌新锆合金的蠕变过程及其抗蠕变性能.结果表明,①工业规模生产的1.4 mm厚的Zr-1Sn-0.3Nb-0.3Fe-0.1Cr合金板,在400℃,3种应力(117 MPa,137 MPa,157 MPa)条件下,200 h的蠕变,第2阶段的时间-应变关系分别为:117 MPa时,ε=0.24676 0.0189t(R=99.9%);137 MPa时,ε=1.95822 0.03417t(R=99.8%);157 MPa时,ε=6.17578 0.15793t(R=98.0%).②低铌新锆合金的蠕变速率远低于Zr-4合金. 相似文献
2.
3.
工艺参数对钼-铌合金单晶制备的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
主要讨论了熔炼室真空度,钼-铌合金原料棒化学成分和尺寸规格,熔炼速度,搅拌速度等对单晶制备的影响。试验结果表明,熔炼室残余压力值低于3.0×10-2Pa时,区熔过程能稳定制备出钼-铌合金单晶。高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,区域熔炼时放气严重,极大地破坏了熔炼室高真空而未能直接生长制备出单晶,但经两次电子束熔炼获得的Ф12mm ̄Ф17mm原料棒C含量降为63×10-6,O含量仅为14×10-6,区熔时熔炼室真空度较高,能稳定地生长制备出Ф31mm×735mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18mm或小于Ф11mm原料棒则未能获得钼-铌合金单晶。此外,熔炼速度和搅拌速度也是非常关键的工艺参数。本试验得出,原料棒在熔炼速度为0.4 ̄4.0mm/min,搅拌速度为1.0~20r/min的条件下能稳定制备出高质量钼-铌合金单晶。 相似文献
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5.
6.
为满足电子器件制造的需要,研制了1种电阻率≥1.5μΩ·m,厚0.01mm,厚度公差±0.001mm的NiMoCrAlSiTi镍基高电阻箔材.合金成分设计采用多元少量原则,在提高电阻率的同时保持良好的加工塑性;在中间热处理、箔材轧制等环节采取有效措施保证了尺寸公差;用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对不同处理状态合金的显微组织、拉伸断口和析出相进行了观察分析,测试了不同状态合金的力学和电学性能,根据其结果决定采用冷轧+时效的最终热处理工艺,此工艺条件下合金析出弥散分布的二相粒子,对提高合金的电阻率有显著贡献,同时合金亦具有良好的加工性能. 相似文献
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8.
用SEM波谱分析手段,定性研究了合金元素铌在新锆合金中的存在方式.结果表明,添加的合金元素铌主要存在于LAVES相中,在α-Zr中的固溶度则小于100 μg·g-1.由此可推断,铌和铁、铬共存时,优先形成沉淀相,造成它在α-Zr中固溶量的降低.结合2种新锆合金(低铌NZ2 ,高铌NZ8)板材在360 ℃含锂水中和400、500 ℃蒸汽中的堆外高压釜腐蚀性能方面的以往研究结果,对铌的作用进行了唯象的讨论,并指出,认知固溶于α-Zr中微量的铌和大量存在于LAVES相中的铌对腐蚀机理的影响是今后研究的重要课题. 相似文献
9.
10.