碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术，讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温玻地＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和＾２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶＡ射线的能量分辨率分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。     

Room temperature HgI2 nuclear radiation detector

Room temperature radiation detectors are fabricated from large HgI2 single crystals,in which,instead of temperature oscillation method(TOM),a modified vapor growth method is applied to grow the crystals in relatively stable temperature field.The crystals grown by the modified method show lower densities of dislocation(10^2-10^4cm^-2) ,and the detectors fabricated from the crystals exhibit good energy resolution and very slight polarization.     

碘化汞探测器及其对HL-1M装置中X射线辐射测量

本文叙述新研制的以高纯度碘化汞晶体为基片的低噪声、高探测效率、高计数率、较高能量分辨率，常温状态下运行的ＨｇＩ２半导体探测器的特点，以及特制的电荷灵敏前放和主放大器组成的探测系统对ＨＬ－１Ｍ托卡马克在欧姆加热、低杂波电流驱动、外加径向电场以及激光吹气掺杂等实验条件下，来自等离子体心部的硬Ｘ射线辐射进行测量，得到辐射强度和能谱随时间的变化等实验结果，并对实验结果作了初步的解释。     

10～150keV X射线碘化汞探测器阵列研制

碘化汞半导体探测器阵列具有低噪声水平、高探测效率、高计数率、较高的能量分辨率、常温下运行的特点,用它研制成功的5通道阵列因去掉体积庞大且费用昂贵的冷氮冷却系统很适合观察HL－1M托卡马克在各种放电条件下,超热电子和低能逃逸电子引起的其能量在10－150keV 范围内X射线辐射强度的变化及超热电子辐射的X射线能谱,并由此得到辅助加热时能量沉积的区域及超热电子的温度。