Co掺杂ZnO的快中子辐射损伤研究

用中子发生器上D-D反应的2.5MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶。室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱。结果表明,快中子辐照后的纯ZnO单晶中引入了氧空位(VO)和氧错位(OZn)缺陷,且有少量的锌填隙(Zni)和氧填隙(Oi)缺陷。Co掺杂ZnO中存在的Co以及钴氧化物纳米团簇由于快中子轰击而分解消失。快中子与替代Zn2+的Co2+的碰撞导致大量的Co2+离开ZnO晶格点位,导致Co掺杂ZnO中引入钴填隙杂质和锌空位(VZn)缺陷。中子辐照后的所有样品依然呈纤锌矿结构并沿c轴高度择优取向。表明纯ZnO和掺Co氧化锌半导体材料具有良好的抗辐照性能,在空间器件方面具有应用潜力,且有助于在ZnO点缺陷方面的研究。     

D-D中子辐照单晶TiO2的损伤特性

利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。     

杂多酸催化环酮的Baeyer-Villiger氧化反应

以30%H2O2作为氧化剂,在温和条件下,考察了三种Keggin型结构的杂多酸催化环酮Baeyer-Villiger氧化反应的性能。结果表明,在选择的三种杂多酸中,硅钨酸表现出最高的催化性能,能使大多数环酮转化成相应的内酯,转化率可以达到90%。并且,在优化反应条件以后,有很好的选择性。催化剂重复使用三次以后,催化活性和选择性并没有明显的降低。在相同条件下,磷钨酸和磷钼酸也表现了良好的催化活性和选择性。利用核磁共振(NMR)对反应后的产物进行了表征。     

用AFM研究Cu在Si基上沉积成核的演化过程

室温下,利用磁控溅射在P型Si(100)衬底上沉积了Cu膜。利用原子力显微镜(AFM)对较短沉积时间内制备的样品形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时Cu在Si衬底上沉积成核的演化过程。随着沉积的进行,Si基表面的成核密度随着时间的增加而增大;核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。在溅射到15 s时,发现奇异现象。