永磁镜场边引出潘宁型离子源的研制与初步应用

本文介绍永磁镜场边引出潘宁型离子源的原理、结构特点、实验结果及应用。该源具有电离效率高,引出束流密度大和小巧轻便等优点,能提供总束流大于1mA的多电荷重离子束或轻离子束。其中多电荷离子比例较大。用N_2和BF_3等气体实验,~(14)N~+和~(11)B~+的离子比分别达到80％和60％。在离子注入机上初步应用,~(11)B~+靶流达300μA。     

ELASTIC RECOIL DETECTION ANALYSIS OF LIGHT ELEMENTS IN THIN FILMS USING 35 MeV~(35) Cl~(6+) BEAM

In this paper, an elastic recoil detection analysis method is described using 35 MeV ~(35)Cl as incident ions. This method can determine and profile simultaneously H, D, He, C and O or in the other case, H, C, N and O. The depth resolution for the elements heavier than He is better than 20 nm. It has been applied to study the Co/Si and TiN thin films, and the depth profiles of He implanted in monocrystal silicon.     

提高J5960A型60kV离子注入机的B~+束流强度

本文介绍了提高J5960A型60kV离子注入机B~+束流强度的实验研究与改进工作。通过改进离子源和引出系统使机器的B~+束流由原来的几个微安提高到50μA,此外,还可用作注H~+、He~+、Be~+、C~+、N~+、O~+、F~+等。其中N~+、He~+、H~+的靶流可大于100μA,扩大了该机的应用范围,并提高了工作效率。     

永磁镜场边引出PIG离子源

本文介绍永磁镜场边引出PIG离子源的结构、磁场设计和实验结果。用H_2、BF_3、N_2或Ar作放电气体,在弧功率50～150W情况下,引出总束流大于1.0mA。其中H_1~ 和B_(11)~ 的比例分别达到90％和50％;得到的最高电荷态离子有B_(11)~(3 ),N~(5 ),Ar~(6 )。     

~(12)C重离子背散射方法及其对YBa_2Cu_3O_7超导膜界面元素扩散行为的研究

将利用~(12)C作为轰击粒子的重离子背散射技术与利用α粒予作为轰击粒子的常规背散射技术相比较,讨论了质量分辨率、深度分辨率及分析灵敏度等方面重离子背散射所表现出来的优点,并且利用~(12)C重离子背散射方法分析了YBa_2Cu_3O_7/SrTiO_3界面处元素之间的扩散行为。