辐射诱发新生儿和成年人T淋巴细胞染色体畸变敏感性的初步比较

探讨了电离辐射诱发T淋巴细胞染色体畸变在新生儿与成年人之间的差异。采用在完全相同条件下用^60Coγ射线一次照射离体的新生儿脐带血和成年人静脉血,新生儿照射0．5、1．0、2．0、3．0、4．0、5．0Gy;成年人照射2．0Gy和3．0Gy,常规法分析染色体畸变率。结果表明,^60Coγ射线照射2．0Gy和3．0Gy诱发新生儿T淋巴细胞染色体着丝粒畸变率相当于成年人的130％左右,无着丝粒畸变率两者几乎相同。^60Coγ射线诱发新生儿T淋巴细胞染色体着丝粒畸变率符合线性2次多项式y=4．8104D^2 5．8314D 0．0034模式,r=0．9982。初步结果表明,新生儿T淋巴细胞对电离辐射的敏感性显著高于成年人。