X光滤片制备方法研究

研究了采用轧制、电阻加热、电子枪和C弧等制备X光滤片的方法,采用天平称重、α测厚仪和光学法等测量X光滤片厚度。分析了各种方法的适用范围及其优缺点,成功地制备了多种X光滤片。     

聚焦重离子束溅射制备同位素靶的材料利用率及均匀性研究

研究了聚焦重离子束溅射制备同位素靶的材料利用率和均匀性。通过实验确定了两种溅射距离(7 mm和14 mm)下沉积靶的纵向和横向厚度分布,确定了提高靶均匀性的有效方法——基衬公转和沉积1/2厚度后基衬调头,确定了匹配材料利用率和均匀性的最佳几何参数。制备了5种同位素氧化物靶和9种高熔点金属同位素靶,应用于核物理测量实验。实验表明,源-衬距离为7 mm和14 mm时,在9 mm×10 mm成膜区域内,基衬中心距靶(源)材料水平界面垂直距离为9 mm和11 mm时可获得均匀的靶膜和最高的材料利用率。     

Be靶制备技术研究

介绍了Be靶制备的电阻加热法、滚轧法、静电振动法、离心沉淀法、聚集束溅射法等。结果显示：电阻加热和滚轧制备自支撑Be靶的厚度范围分别为20－970μg/cm^2和3．8－20μm。     

α能损法测厚仪的研制

α能损法测量靶膜的厚度是通过测量穿过薄膜的粒子能量的变化实现膜厚的测量。一束单能的α粒子穿过一定厚度的薄膜后由于能量损失的歧离效应会使能量有一定展宽，但中心能量是通过α能谱的峰位确定的，因此，用α粒子测量薄膜厚度有更小的测量误差。同时，这是一种无损的测量方法，采用计算机控制，方便易用。     

自支撑薄膜剥离技术研究

自支撑薄膜的制备在核科学研究中至关重要。自支撑薄膜制备技术包括成膜技术和剥离技术。自支撑薄膜的成膜技术与普通有衬薄膜的相似,区别仅在于对薄膜剥离。本工作对自支撑薄膜的剥离技术进行了较为系统的研究,并在实践中比较分析各种脱膜方法及脱膜剂的优缺点。     

同位素金属氧化物的还原技术研究

系统研究了同位素金属氧化物的3种常用还原技术,即高温还原、氢气还原和电解还原,并利用这3种还原技术成功将大量金属同位素氧化物还原成相应的金属同位素单质,它们的平均还原收集效率分别为93.1%、98.9%和94.2%。最后,在扫描电子显微镜上分析了所还原金属的纯度,结果显示,氢气还原的金属纯度最好,均在99%以上;其次是高温还原的金属纯度,在98%以上;电解还原的金属中杂质含量相对最高,其纯度在92%～97%之间不等。     

Mylar膜衬底上的镀膜技术

本文系统地研究了在Mylar膜上通过真空蒸发沉积各种不同材料薄膜的技术,详细讨论了真空蒸发沉积薄膜时使衬底温度升高的蒸发源的辐射热和沉积时的冷凝热,介绍了一种精确控制厚度的方法,分析了静止衬底和转动衬底沉积薄膜的均匀性,探索和总结了在Mylar膜衬底上镀膜过程中防止衬底软化的方法。在12.5 μm厚的Mylar膜上成功沉积了厚度为1 μg/cm²和20 μg/cm²的Sc、Ti等24种物理实验需要的薄膜。最后用X射线荧光分析方法测量了沉积在Mylar膜上的Cu膜和Cr膜的均匀性。结果显示,均匀性优于5%,完全满足物理实验的要求。     

氢气还原金属氧化物

叙述的氢气还原金属氧化物的过程,装置和工艺过程,研究了若干种氧化物的还原温度和还原时间对还原效率的影响,采用特殊的滚轧技术,将还原的金属制备成较薄的靶膜。     

高真空击密法处理曹妃甸吹填土的应用研究

依托曹妃甸地区吹填土地基处理工程,阐述了高真空击密法的加固机理和关键工艺;针对该地区工程地质特点,对比了强夯和真空预压法适用范围,确定高真空击密法为该地区的施工方法,并研究了施工过程中不同深度的土压力和孔隙水压力变化特征。结果表明:高真空击密法可以有效缩短施工工期,减少工程造价,强夯与真空排水相结合的工艺可以快速排出孔隙水和消散超孔隙水压力,具有较好的处理效果;该研究成果可以指导施工点夯的时间间隔设置,将点夯时间设置为9 d,超孔隙水压力完全消散后进行点夯处理效果最佳。     

超短源-衬距离衬底转动蒸发制备自支撑同位素靶的技术研究

研究了超短源-衬距离衬底转动蒸发制备自支撑同位素靶的技术。通过计算不同条件下衬底转动蒸发沉积的靶膜厚度分布、材料利用率及不均匀性,确定了最佳的源-衬距离和源-轴距离的匹配值。研究了蒸发舟材料、蒸发时间和蒸发距离对沉积靶膜的影响。实验表明,制备10mm的靶时,对于熔点分别为100~600、700~1 200、1 300~1 600和1 600~1 900℃的材料,合适的源-衬距离分别为13、15、20和25mm,对应的源-轴距离分别为12.5、13.0、14.5和16.0mm。