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1.
从钛白的副产品生产硫酸钾肥的新工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨全  张韶宁  朱慎林 《化工进展》2002,21(2):109-111
通过对钛白生产中的副产品硫酸亚铁的综合利用进行深入研究,提出了萃取法生产硫酸钾的新工艺,分别对萃取铁离子和萃取氯离子的体系进行了系统研究。优化了工艺流程,通过对工业副产品硫酸亚铁的综合利用,可获得较大的经济效益和社会效益。  相似文献   
2.
采用AVR单片机ATmega128作为主控制器,取代C51系列单片机,设计了一套性能优良带有USB接口的多道脉冲幅度分析系统。本文给出了ATmega128控制峰值保持、高速模数转换及USB接口的电路原理简图。目前其已应用到我校4兆伏静电加速器的核辐射监测系统中。  相似文献   
3.
利用超临界CO2作为物理发泡剂,采用升温发泡法制备了聚乳酸(PLA)、聚乳酸-聚丁二酸丁二醇酯(PBS)共混物以及聚乳酸-丁二醇-己二酸-对苯二甲酸共聚酯(PBAT)共混物3种体系的微孔泡沫,并探讨了共混体系的结晶行为与形貌、CO2的吸附与解吸附、发泡温度和发泡时间对泡孔结构的影响。结果表明,2种共混体系均为"海-岛"式不相容体系,且差示扫描量热分析表明PLA-10%PBS体系的结晶度最大;在12 MPa,45℃和8h的饱和条件下,3种体系的饱和吸附量均在20%左右,其中PLA-10%PBAT体系最大,PLA-10%PBS体系最小;3种体系呈现出3段式扩散模式,第1段扩散速率最快,为表皮扩散,第2段扩散速率居中,为无定形区扩散,第3段扩散速率最慢,为晶区扩散,应选择第2段作为发泡的初始状态最为合适;扫描电镜照片表明,不同于PLA-10%PBAT体系,PLA-10%PBS体系泡沫的泡孔密度大,泡孔尺寸小,其界面作用高于PLA-10%PBAT体系;PLA泡沫的泡孔结构呈现明显的双峰分布。  相似文献   
4.
介绍由主控计算机和多个探测通道组成的辐射监测系统,可以对多种辐射的能量、强度、剂量率、剂量及剂量当量进行监测.该系统虽然是为4MV静电正离子加速器辐射监测设计制作的,但同样适用于类似条件的其他场所的辐射监测.  相似文献   
5.
桂丑  王波  叶宇  管杨杰  杨全 《机电元件》2022,(5):60-61+64
符合GJB 177A-99《压接接触件矩形电连接器总规范》的压接接触件矩形电连接器(以下简称GJB 177A矩形电连接器)在机载电子设备中得到了广泛应用,为提高军用装备的质量保证发挥了重要作用。在连接器的安装和使用过程中,用户经常会遇到一些影响连接器可靠性的问题,文章对插头和插座的安装尺寸、后紧定销的使用问题进行了研究和探讨,提出了保证连接器可靠性的方法,期望使用者在使用过程中规避这些问题。  相似文献   
6.
一种用于核辐射监测信号的多微处理系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了4兆伏静电正离子加速器的监测防护系统,该系统由多个微处理器与主控机分布式分布,组成高速多通道辐射信号采集控制系统,可以对多点核辐射的能量、强度、剂量率,剂量及剂量当量进行监测.系统的核电路部分采用最新的芯片产品,合理的硬件安排,优化的软件编程,在仅更换不同的探头后,便可探测分析γ,X及快中子辐射.在参数稍做调整之后,就可以广泛应用于类似条件的其他场所的辐射监测.  相似文献   
7.
基于ATmega128控制器和CH375接口的高速数据采集系统   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种基于USB接口的高速数据采集系统的设计与实现.该系统采用AVR单片机ATmega128作为主控制器,通过基于CH375的USB接口实现数据传输.给出了高速模数转换及USB接口的电路原理简图,并详细介绍了实现USB数据传输的上、下位机的程序设计.该系统采集速率最高可以达到5 MS/s,有软件触发、后触发、前触发三种采集模式,已成功应用到核探测领域.  相似文献   
8.
现在,科学技术的发展十分迅速,在以前的超限检测的基础上,慢慢的开发出来了不停车快速超限的检测系统,这种系统的应用是十分的方便和快捷的。在这种系统的实行下,需要检测的车辆无需停车,只是在正常行驶的过程中就能利用牌照识别的系统,对车辆的重量情况进行检测,并且在显示屏上显示车辆的数据,真正的实行了车辆的不停车检测。  相似文献   
9.
带状法图斑编号的实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨全  李乃良 《城市勘测》2010,(4):137-138,142
提出按带状法进行图斑编号,真正实现图斑编号的从上到下,从左到右,方便图斑的查找和使用。  相似文献   
10.
氮化硼薄膜的脉冲激光沉积   总被引:3,自引:0,他引:3  
用Q开关YAG激光器的1.06μm的脉冲激光在硅及玻璃衬底上沉积了氮化硼薄膜。做了SEM,XRD,红外透射谱和紫外一可见透射谱等测试。确认为六方氮化硼(h-BN)薄膜.并测出其禁带宽度、晶格常数等。  相似文献   
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