在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法

在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象.猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析.由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果.     

高电离态原子的实验装置与控制系统

简要介绍了基于加速器的高电离态原子的实验装置和控制系统的研制以及实验检测结果．并做了简要讨论。     

Ar16+与Zr作用产生的X射线谱

本工作对超导离子源(SECRAL)上的10～20 kV/q Ar16 和Ar17 入射到金属Zr表面进行实验研究.实验结果表明,高电荷态Ar16 在金属表面存在着多电子激发过程.Ar空心原子的K层发射X射线强度随入射离子的动能减少,靶原子Zr的L壳层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强.Ar17 单离子的Kα-X射线产额比Ar16 单离子的Kα-X射线产额大5个数量级.     

光谱和能级寿命自动测量控制系统设计

基于束箔光谱和能级寿命覆量，建立了自动测量控制系统，着重介绍了系统的工作原理、总体设计和软件开发，最后给出了在线实验结果。     

用于光谱和能级寿命测量的控制及数据获取电子学系统

简要介绍了为高电离态原子光谱学实验研究装置研制的控制及数据获取电子学系统。该系统主要用于光谱和能级寿命的测量控制与数据获取。     

高级微机ISA总线上的多功能接口板

介绍了一个应用于Pentium机型上ISA总线的接口电路，这个接口电路具有高速度，高可靠性的特点，是为光谱测量与能级寿命测量装置的控制及数据获取系统专门设计研制的。     

氧离子与氖原子碰撞转移电离过程研究

采用位置灵敏探测和散射离子-反冲离子飞行时间测量技术，测量了氧离子与氖原子碰撞过程中转移电离截面与单电子俘获截面之比。通过比较，发现测量结果与文献结果的趋势一致，并对测量结果进行了解释。     

170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额

利用１７０ＭｅＶ的Ｓ＾９＋与Ａｒ原子气体靶发生碰撞反应,采用高能离子引起的多重电离的飞行时间技术,测量了反冲击离子相对产额,并与多体经典轨道蒙特卡罗理论的计算结果进行了对比分析,发现理论低估了较高电荷态反冲离子的产额。     

氟离子碰撞引起的钽L壳层X射线产生截面测量

测量了20～55 MeVF5+离子和Ta原子碰撞中Ta产生的L壳层X射线.计算了Ta的L各支壳层产生截面的比值和总截面的比值.利用L壳层的辐射跃迁几率、CrosterKroning跃迁几率和L亚壳层的荧光产额,将平面波波恩近似（PWBA）和ECPSSR理论计算的电离截面转换为L层X射线产生截面,并与实验结果进行比较.结果表明,σ(Ll）/σ(Lα)、σ(Lγ)/σ(Lα)和σ(Ltotal)/σ(Lα)与ECPSSR理论预测结果吻合较好,σ(Lβ)/σ(Lα)较两种理论预测值均偏小.