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1.
用于离子能谱测量的Thomson谱仪设计与数据处理技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
在设计可用于测量质子、n粒子以及其他重带电离子能谱的Thomson谱仪的过程中,研究了带电离子在谱仪电场和磁场作用下的运动轨迹,开发了相应的计算机辅助设计软件。CR39固体径迹探测器作为离子记录介质,离子径迹在记录面呈现抛物线带状分布,研究了由抛物线带状分布回推离子能谱的数据处理方法。  相似文献   
2.
采用直流刻度方法.实验研究了ST401、ST1422或ST1423塑料闪烁体加光电倍增管组成的探测器的裂变中子灵敏度,获得了中子灵敏度随中子能量的变化关系。实验结果与计算进行了比较.在不确定度范围内符合很好。  相似文献   
3.
提出了一种新的硅PIN探测器组合结构,使其适用于n、γ混合脉冲辐射场中脉冲中子的测量。分别利用三通道脉冲γ发生器和DPF脉冲中子发生器对组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果进行了测量研究,实验结果表明组合PIN探测器的γ和中子辐射补偿效果均达97%以上。  相似文献   
4.
降低闪烁探测系统中子灵敏度的方法初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对脉冲辐射场高强度裂变中子测量的特点,设计了降低灵敏度的狭缝闪烁探测系统,初步研究了系统的2.5MeV中子灵敏度。实验结果表明:由狭缝屏蔽准直器和闪烁探测器组成的新型狭缝闪烁探测系统,可使传统的直照探测模式的下限灵敏度降低一个量级,拓宽了闪烁探测器在脉冲辐射场中子测量中的应用。  相似文献   
5.
在神光Ⅱ基频光直接驱动内爆实验中,采用国产核乳胶测量了DD反应产生的质子产额,根据DD反应的质子产额与DT反应的中子产额的比值,诊断了DT燃料离子温度;由于核乳胶对质子的探测效率比中子探测效率高,产额比值法在低产额特别是间接驱动实验条件下诊断燃料离子温度是一种较好的方法。  相似文献   
6.
测量了CHφT3型光电倍增管配上ST401塑料闪烁体,在波形半宽度约2400ns脉冲光源照射下的电流输出情况,还提供了该光电倍增管与对中子相对不灵敏的晶体CeF3组成探测器应用于宽脉冲γ辐射源测量得到的电流输出情况。结果表明,CHφT3型光电倍增管其饱和电流输出大于3.5A,最大线性电流大于1.5A,暗流小于10nA,是一种在微秒级宽脉冲信号下都可以输出大于1.5A线性电流的大电流光电倍增管,是在大动态范围脉冲测量中,使用多探测器量程衔接时降低不确定度的一种可选方法。  相似文献   
7.
本文介绍了一种国产GaAs:Cr材料基片和同轴电缆构成的特殊结构型GaAs:Cr探测器,这种器件具有耐高电压,大电流输出,高灵敏快响应等特点,它更适合于强流脉冲辐射宽量程测量。  相似文献   
8.
介绍DT聚变反应产生的非单能的高能脉冲中子时间谱的一种测量技术——非弹散射法。利用安装在脉冲中子源附近的氧化铍(BeO)材料作为辐射转换体,测量DT聚变反应产生的高能脉冲中子与^16O的非弹散射(n,n’γ)过程中产生的γ辐射时间谱,实现对DT反应脉冲中子时间谱的测量。  相似文献   
9.
在强流脉冲中子测量工作中,常利用PIN探测器测量中子与聚乙烯中的H核发生弹性散射产生的反冲质子.本文利用Monte Carlo技术进行快速计算的反冲质子探测系统中子灵敏度表达式,给出了算法和计算流程.  相似文献   
10.
为了测量ICF内爆实验聚变反应的时间过程,建立了计算机MonteCarlo光线追迹程序进行光学辅助设计,研制了主要由BC422塑料闪烁体、消色差透镜组、皮秒条纹像机和制冷增强CCD组成的超快脉冲中子探测系统,其时间响应<40ps。闪烁体与靶丸的最短距离可达2cm,测量下限中子产额为~108。  相似文献   
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