多晶硅晶粒度的X光衍射增宽傅里叶分析

本文是用X射线衍射增宽效应,对CVD多晶硅层中晶粒大小进行分析测定的.CVD多晶硅在生长过程中,往往引入宏观和微观形变,由傅里叶级数表示法分离开晶粒大小增宽和晶格形变增宽,从而取得平均晶粒大小的准确值,与未经修正值比较约差20％以上.我们并用此方法对离子注入样品的不同时间退火的多晶硅晶粒大小进行了研究.     

ION BEAM AND SIMS ANALYSIS ON DAMAGE OF GaAs DOPED WITH N^＋

ＩＯＮ　ＢＥＡＭ　ＡＮＤ　ＳＩＭＳ　ＡＮＡＬＹＳＩＳ　ＯＮ　ＤＡＭＡＧＥ　ＯＦ　ＧａＡｓ　ＤＯＰＥＤ　ＷＩＴＨ　Ｎ~＋ＷｕＸｉａｏｓｈａｎ；ＬｉｎＺｈｅｎｊｉｎ；ＪｉＣｈｅｎｇｚｈｏｕ；ａｎｄＹａｎｇＸｉｚｈｅｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃ?..     

Zn离子注入GaP

为了研究结型发光材料的性能,进行了Zn离子注入到n型GaP中的试验。由于Zn离子对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是P型掺杂物,因此,Zn离子注入到n型GaP晶体中,经真空退火可形成p-n结,在适当条件下即可发光。从而证实了Zn离子已经注入到了GaP晶体中。Zn离子的注入能量为180keV,注入剂量是1×1016cm-2；所用n型GaP是合成溶质扩散法(SSD)制成；注入样品的保护层使用高频溅射SiO2,膜厚9000A。注入后的退火是在真空度为10-5乇的石英管中进行,退火时间为30分钟和40分钟两种,退火温度为1000℃。退火后,用铁氰化钾配方对样品染色。金相显微镜测量结果为5μm,证明Zn离子注入后形成了p-n结。又用探针法使样品发光,光呈红色。对样品进行了光激发光的测量,光激是Ar 离子激发,波长在77k下4880A,测出了PL光谱,峰值波长为6648A和5760A。同样条件下,对纯高阻GaP材料经Zn离子注入后并不发光。对注入后的样品进行了背散射测量,使用1．5MeV的He 4离子入射,样品的面积为1mm2,用200道分析器检测,每道能量为8 keV,测得了样品的组分比,说明P的组分比Ga的组分多一些,所以样品的配比有待进一步改善。本试验指出：Zn注入GaP在上述条件下能形成发光的p-n结。还指出Za离子注入到GaP中,退火温度高于800℃时(如1000℃),只要保护层作得好,真空度足够高(10-5乇以上)对制成发光结是很有利的。