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利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×109-2×1013cm-2的辐照,通过电池Ⅰ-Ⅴ特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应.结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大.经2×1013cm-2质子辐照后,引入量子阱GaAs太阳电池光谱响应在400-1000nm整个波段有明显衰降,且长波区(900-1000 nm)的量子阱特性消失.量子阱结构的引入使GaAs太阳电池的抗辐射性能下降. 相似文献
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利用60Coγ射线模拟空间环境辐射,对卫星电源控制器中LM118J-8和OP07两种运算放大器电路进行剂量率为0.06和0.22 Gy(Si)/s,总剂量为3000 Gy(Si)辐射的实时在线研究.结果表明:随辐射剂量增加,OP07电路的输出电压在低剂量100 Gy(Si)时就有明显变化,而LM118J-8电路的输出电压在辐射剂量高于900 Gy(Si)时出现明显变化.LM118J-8运算放大器的抗辐射性能优于OP07放大器.引起LM118J-8、OP07性能退化、功能失效的主要原因是辐射感生了界面态. 相似文献
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