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中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为.结果表明,在1014~1017/cm2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长.中子辐照效应对ψ1/2没有影响.经一定剂量辐照后,退火温度越高,退火时间越长,离位原子的恢复效果越明显.1015/cm2剂量辐照损伤的恢复激活能E10.35eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合;而1017/cm2剂量辐照损伤的恢复激活能E20.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合. 相似文献
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用AES、XPS、RBS和X射线衍射等技术研究了在稳态热退火和激光退火条件下,Ti/Si和 Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成.在 500—600℃稳态热退火条件下,Ti/Si系统形成 Ti_5Si_3、TiSi和 TiSi_2三种硅化物;高于 650℃,只存在TiSi_2.TiSi_2的生长服从 △x∝t~(1/2).Ti/SiO_2/Si系统,750℃以上退火,形成覆盖层为TiO 的Ti_5Si_3薄膜,△x∝t~(1/2). CW-Ar~+激火扫描退火Ti/Si样品,功率密度小于2.7kW/cm~2,产生固相反应;功率密度~3.8kW/cm~2,产生液相反应,并形成TiSi_2和纯Si的混合薄膜.对实验结果进行了讨论. 相似文献