工艺参数对多涂层结构及性能的影响

由磁控溅射方法制得的多层TiC/TiB_2,在沉积过程中采用了不同程度的离子轰击,在以前的研究中,考虑到裂纹扩展阻力及磨损特性,特别在间歇切削条件下,5μm厚的整个涂层产生最佳性能的单层数目大约100～200,有迹象表明,界面区域阻碍裂纹,基体不加偏压溅射后,这些区域大约有2～3nm的扩展带,在沉积过程中,离子轰击导致相似的界面区域,改变了涂层组织,并且特别在多层涂层的情况下可以得到最好的涂层性能,对5μm厚涂层,要获得最佳性能及耐磨性大约需500单层,本文研究组织结构、性能与工艺参数间的关系。     

酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.     

磁控溅射PtSi／p-Si纳米薄膜组织结构的研究

采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，分别在350℃-600℃退火。原子力显微镜(AFM)观察和x射线光电子谱(XPS)分析表明，随退火温度的增加，平坦的薄膜表面变得粗糙，其相分布由Pt-Pt2Si-Ptsi变为Pt Pt2Si PtSi-Ptsi。     

Simulation and analysis of effects of Young’s modulus of isolation material on natural frequencies of the sensor package and displacement of the chip

During the last ten years, Micro-electromechanicalSystems (MEMS) technology developed very rapidlyand with that came great achievements. Currently, theMEMS devices are different types of sensors, which areusually applied to measure physical quantities such aspressure, the acoustic signal, mass, motion, accelera-tion, rotation, velocity of flow, chemical reaction, vi-bration, and so on. Additionally, some sensors havebeen manufactured[1]. MEMS packaging technologydevelops slowly due to the…     

溶胶-凝胶法制备Al_2O_3感湿薄膜

采用溶胶－凝胶法制备Ａｌ＿２Ｏ＿３感湿薄膜，并通过大量实验，研究了溶胶的配制、涂覆层数及热处理工艺，对其感湿特性也进行了测试．     

功率载荷下叠层芯片封装热应力分析

应用有限元分析软件ANSYS,模拟功率载荷下叠层芯片封装中各层的温度和应力分布.分析结果表明,下层芯片最高温度、最大等效应力和剪应力分别为412.088 K,143 MPa,65.4 MPa,下层芯片的边角处应力和剪应力值最大,也是芯片最容易破坏和开裂的位置.     

组分对PI/TiO_2纳米复合薄膜电学性能的影响

采用原位聚合法制备聚酰亚胺/二氧化钛(PI/TiO2)纳米复合薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪对复合薄膜进行表征及结构分析,研究无机组分对复合薄膜电学性能的影响.结果表明,TiO2颗粒与PI基体相容性好、分布较均匀.随着无机组分的增加(0~7%),复合薄膜的击穿场强先升高后降低,在1%组分处达到最大值240 kV/mm;复合薄膜的耐电晕寿命持续增加;介电常数先降低后升高,在3%组分处达到最小值3.11,在7%组分处为3.49;电导率与介电损耗随组分变化不大,在102Hz频率下,薄膜电导率均小于6.0×1013S/cm;聚酰亚胺/二氧化钛纳米复合薄膜具有良好的介电性能与热稳定性.     

一种应用于EEPROM的片上电荷泵电路设计

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真结果显示:在5 V电源电压下,时钟频率高达2.085 MHz。电荷泵仅需要56.256μs就可以输出15.962 V的高压。电荷泵的电压上升时间快,性能优越。     

磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征

采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇，薄膜显微结构由多层变为单层，衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。