碘化铯(铊)闪烁晶体

本文叙述了用斯托克巴格(Stockbarger)法制备CsI(Tl)晶体的过程和晶体的切割加工技术,分析了激活剂在晶体中的含量,研究了不同激活剂含量与晶体对Cs~(137)γ源和Po~(210)α源的光输出及能量分辨率的关系,测量了CsI(Tl)晶体在质子、氘核、α粒子激发下光输出与粒子能量的关系——能量响应。目前,我们所制得CsI(Tl)晶体的最好能量分辨率:对Cs~(137)γ源为9.8%(晶体大小为直径25毫米,高20毫米);对Po~(210)α源为2.9%(晶体大小为直径25毫米,厚1毫米)。所制得的最大晶体为直径40毫米,高50毫米。     

CsI(Tl)-~(241)Am恒定幅度脉冲光源

将~(241)Am长入NaI(Tl)晶格中组成恒定幅度脉冲光源,广泛地应用于光电倍增管增益监测。现在国外已有商品出售,表1列出荷兰Harshaw公司生产的NaI(Tl+~(241)Am)产品性能,反映了脉冲光源的当前水平。     

CdTe核辐射探测器

近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14),     

CdTe核辐射探测器(扩散型)

CdTe核辐射探测器是近年来发展起来的有希望的一种化合物半导体探测器。目前,采用CdTe材料已制成扩散型、面垒型、离子注入型、同轴型等探测器。而扩散型探测器是早期开展的工作,1971年А.И.Калучина等人制成了扩散型CdTe探测器,对~(241)Am 59 keV的γ射线获得7 keV的能量分辨率(FWHM)。     

NaI(Tl)晶体的制备

本文叙述了用晶种提引法制备NaI(Tl)晶体的过程。指出了影响晶体能量分辨率的各种因素,卽結晶条件、激活剂含量以及密封包装等。現已能制成直径30毫米、高20毫米的晶体,其最好的能量分辨率好于8%(对Cs~(137)661千电子伏γ射綫而言)。     

CdTe计数器在放射性同位素生产工艺流程中的应用

一、前言在放射性同位素的系统分离流程中,直观地监测整个流程,对提高同位素的回收率和纯度都是很有好处的。若这种监测是以γ射线为对象时,强的γ射线场(强度在几十毫居里—几十居里范围)使得卤素管计数器的寿命(10~9—10~(10)次计数)也不能胜任。NaI(TI)闪烁计数器在这样强的γ场中,需要十分庞大的屏蔽,而且它的价格是昂贵的,这些问题对同位素生产都是不方便的。我们试验了以CdTe探测器作为积分计数器进行同位素生产工艺流程的监测。