基于电动汽车入网特性的电网经济调度研究

电动汽车的充放电行为受到间接的成本约束和直接的集中调度控制。本文建立了计及电动汽车充放电行为的机组组合模型,从机组组合的角度分析了受调度电动汽车的充放电行为。在GAMS的MINLP优化求解的基础上,以10台机组系统24时段的机组最优组合为例,分别讨论了有无惩罚函数的情况、全时段充放电和定时充放电的情况。由此得出结论,惩罚函数的添加,能够有效地改善系统"削峰填谷"效果。针对本文算例,考虑机组成本和电动汽车充放电成本,所允许的电动汽车放电的临界成本系数大约为45$/MW。     

基于改进遗传算法和LVQ神经网络包裹算法的特征筛选

在皮肤症状计算机辅助测试系统研究中，症状特征的筛选是提高系统诊断的关键问题，针对这个问题提出基于遗传算法和LVQ神经网络相结合的包裹算法。同时为了提高搜索效率，采用改进的自适应遗传算法。并用留一交叉法验证LVQ神经网络分类器的识别率．对初步提取的体现病态皮肤症状特点的22个特征以及它们的10个随意组合构成的干扰项进行特征选择，选择出使皮肤症状诊断率得到明显提高的特征组合。实验证明该方法是可行的。     

极化效应对AIN／GaN共振隧穿二极管电流特性的影响

本文采用半经验紧束缚能带理论，通过自洽计算薛定谔方程和泊松方程研究了A1N／GaN共振隧穿二极管中极化效应对电流的影响。结果发现，极化效应导致电流曲线发生不对称性，并影响电流的共振电压位置，这与实验报道的结果相一致。并且随着极化电荷的增加，在一定的偏压条件下，只能观测到一个子能级隧穿或者根本没有负微分电阻现象发生。     

一种新型高性能FinFET的设计与特性分析

针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极长度控制在10 nm时,新型器件相比于另外两种传统的FinFET具有更小的鳍片尺寸,且鳍片高度不低于抑制短沟道效应的临界值。仿真结果显示,这种新型的FinFET具有更好的开关特性和亚阈值特性。同时,该器件在射频方面的特性参数也显示出该器件具有较高性能,并有一定的实际应用价值。     

Ge-SiO2薄膜的XPS研究

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜，在N2气氛下进行300℃到1000℃的退火处理30分钟，对样品进行XPS分析，研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态，为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结构可发现，退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高，样品中的Si向高价态转化，Ge则向低价态转化；GeO含量在800℃退火样品中为最大，高于800℃退火样品中急剧减少。     

尺寸分布和界面混合对InAs/GaAs量子点光学性质的影响

研究了自组织生长模式(S-K modes)下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算.研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的红移.另一方面,后处理工艺中的退火及质子注入引起的界面混合导致了量子点PL谱发光峰的蓝移及半高宽的减小.     

光激发半导体硅片对宽带太赫兹波的调制研究

利用光泵浦-太赫兹(THz)探测(OPTP)技术,研究 了THz波在Si半导体界面间的传输行为。通过改变抽 运光密度从而改变样品表面的载流子浓度,实现对THz波透射/反射的有效调制。在外加中心 波长为800nm 的飞秒激光激发块体半导体Si片时,成功实现了对宽带THz波时域谱包括入射THz 脉冲振幅和 相位以及THz波次级反射峰抗反射的调制。光激发Si片可以获得任意载流子浓度 的Si片实现对 THz脉冲振幅的调制,调制度达到90%以上;光激发Si片能够使THz脉 冲的相位发生负延迟,随着 泵浦光密度的增加,负的相移越来越明显,随着频率的增高,负的相移也越来越明显;光激 发Si片还能够 对THz波的次级反射峰进行调制,随着泵浦光密度的改变,实现对次级反射峰的π相位以及 次级反 射峰抗反射的调制。光激发Si片对宽带THz波时域谱的调制为THz波在通信、国防安全等领域 的应用奠定了基础。     

应变对耦合量子点空穴基态混合特性的影响

考虑应变对量子点结构产生的重要影响,采用六带K·P理论模型计算了耦合量子点系统在不同耦合距离下空穴基态及激发态的能态特性,探讨了应变效应对耦合量子点空穴基态反成键态特性的影响.计算结果表明,单轴应变对量子点的空穴能带有主要影响:首先它使重空穴(HH),轻空穴(LH)能级分裂增加,减少了HH,LH的混合;同时,改变了LH的束缚势垒,使得空穴基态波函数较多局限在底部量子点中.在不考虑应变的情况下,随着量子点之间耦合强度的减小,价带基态能级和激发态能级发生反交叉现象,基态从成键态翻转为反成键态.应变效应使得量子点的重空穴及轻空穴的能带发生改变,轻重空穴耦合减弱,基态和激发态之间发生成键、反成键态翻转的临界距离明显减小.     

微电子专业“半导体物理”教学改革的探索

针对半导体物理课程的教学现状,探索基于微电子专业的知识结构和教学体系,结合半导体物理课程的特点进行课程教学改革。在教学过程中,通过合理安排教学内容,采用多样化的教学方法,结合行业科技发展动态来提高学生学习的积极性,改善教学效果,提高教学质量。     

Ge-SiO2薄膜的结构及其发光特性的研究

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜，在N2气氛下进行了不同温度的退火处理，分析了样品在室温下的光致发光（PL）特性，为探讨其发光机制，对薄膜的结构进行了表征，XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应，394nmPL由GeO缺陷引起，580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光光中心相联系。