芯片尺度封装中焊线的应力分析研究

芯片尺度封装(CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术。通过对WB-CSP器件中金线(GoldWire)所受应力的有限元模拟,发现金线所受应力与塑封材料的膨胀系数、焊点大小、金线粗细、金线拱起高度等因素有关。结果表明:由于热失配引起的金线应力最大处位于金线根部位置,SEQVmax=625.202MPa,在通常情况下,这个部位在所承受的应力作用下产生的形变最大,最有可能发生断裂,引起器件的失效。模拟结果与实际失效情况相一致。此外,发现:当环氧树脂塑封料热膨胀系数为1.0×10-5/oC时,金线最大等效应力出现最小值,SEQVmax=113.723MPa,约为原来的1/6;随着金线半径减小、焊点增大,金线所受应力也将减小。模拟结果对于WB-CSP封装设计具有一定的指导意义。     

CZT Frisch栅探测器前置放大器的设计

CZT Frisch电容栅器件采用两个平面电极,侧面金属层与阴极相连,与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据Frisch电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标,采用交流耦合,选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电荷灵敏放大器,成功地设计制造了低噪声、高性能的CZT Frisch栅探测器的前置放大器。并给出了测试结果。     

有限元方法对SCSP粘结剂溢出问题的研究

利用有限元分析方法对SCSP器件内部粘结剂的溢出问题进行了研究.对粘结剂不同溢出高度的模型进行有限元建模分析,模拟结果能很好地和实验结果相吻合.为了有效减少由热应力引发产生的分层,模拟得到了粘结剂溢出高度的最佳控制范围.     

有限元模拟对CdZnTe共面栅探测器的优化设计

利用有限元分析软件ANSYS，通过变化栅宽、沟宽及栅极位置等因素，模拟了共面栅探测器在不同的电极设计时的电势分布，并讨论了电极分布不对称时所产生的边缘对感应信号的影响，显示了具有优化设计的共面栅电极，可以进一步提高探测器的能量分辩率。     

二元并行CdZnTe探测器读出电路及信号处理方法

本文为CdznTe(CZT)二元并行探测器设计并制作了信号处理系统电路,包括前置放大电路,差分放大电路,极零相消电路,滤波成形电路,微调电路和基线恢复电路和加和电路.137Cs(662keV)辐射下的信号,经过差分放大,极零相消和滤波成形电路的输出,信号持续时间在10μs内,幅度为260mV,两路信号相加后信噪比大于15:1.能谱测试初步结果表明:采用这个信号处理系统,二元CZT并行探测器对137Cs(662keV)源的探测效率分别是单元器件的1.74和2.2倍,能量分辨率接近于单元器件.     

高温绝缘涂料及其应用举例

介绍一种能耐高温和绝缘的涂料及应用于汽车点烟器发热线圈是热丝表面绝缘处理工艺,其工艺简单,高温下绝缘效果良好,符合设计要求。     

不同沉积工艺下Au/P-CdZnTe接触界面的研究

采用超声波扫描(SAM)、俄歇电子能谱分析技术(AES)、电极粘附力测试和I-V特性测试等方法研究了化学沉积、溅射和真空蒸发三种不同沉积工艺条件下Au/p-CdZnTe接触界面的各种特性.通过实验结果可以看出,化学法沉积的Au电极能形成较好的欧姆接触特性,但其操作工艺不容易控制,电极接触层均匀性较差,在器件使用过程中,容易引起电极的退化;溅射沉积的Au电极有着较好的附着力,但对CdZnTe表面的损伤较大,欧姆接触特性较差;真空蒸发法沉积的Au电极,有着较好的欧姆接触特性,且其电极接触层也较为均匀,只是电极附着力相对较小,但可以通过合适的退火工艺进行改善.     

热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究

对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。     

有限元方法对SCSP粘结剂溢出问题的研究

利用有限元分析方法对SCSP器件内部粘结剂的溢出问题进行了研究.对粘结剂不同溢出高度的模型进行有限元建模分析,模拟结果能很好地和实验结果相吻合.为了有效减少由热应力引发产生的分层,模拟得到了粘结剂溢出高度的最佳控制范围.     

CdZnTe晶体生长中掺 In量对晶体电学性能的影响

通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.