NaI(TI)闪烁谱仪的稳谱和抗堆积系统

为解决在强源且源强大幅度变化情况下NaI(T1)闪烁谱仪的能谱漂移和脉冲堆积问题以及一般使用条件下由光电倍增管分压电阻温度效应、高压和电子学系统引起的能谱漂移问题,我们采用GaAsP半导体发光二极管作标准脉冲光源,加上T型滤波器和快甄别器等建立了一个稳谱和抗堆积系统(见图1)。光电倍增管阳极收集电阻为50Ω,输出电流型脉冲,装在快放大器输入部分的T型滤波器可使脉冲变窄为0.3μs,减少了脉冲堆积,再用快甄别器排除能谱中大量低能本底,以减少主放大器和脉冲分析器承受的计数率。主     

荷能团簇碰撞沉积装置中飞行时间质谱仪的物理设计

介绍了荷能团簇飞行时间质谱仪的原理及其在荷能团簇碰撞沉积装置中的物理设计。对实验中出现的若干问题进行了探讨,并提出了解决的措施。     

离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响

用８０ｋｅＶ不同剂量的Ｃ３Ｈ＾＋８,Ｎ＾＋２对超高分子聚乙烯样品进行离子注入,通过反冲探测分析表明注入层Ｈ含量的变化,对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示,离子注入以后样品表面氢含量减少,磨损性能增强。     

组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

将组合技术和离子束技术结合起来,用于硅基发光材料的研究用组合离子束技术在硅基材料上制备了64个直径为2mm的单元--材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐背散射质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析     

组合离子技术在硅基材料芯片中的应用

将组合技术和离子束技术结合起来。用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元－材料芯片,并对硅基材料芯片各进行了卢瑟辐背散射,质子弹性散射和扫描阴极射一发光特性分析。     

用RBS和RNR研究表面涂覆CeO_2对Fe-25Cr合金高温氧化的影响

一、引言许多研究结果表明,将微量 Ce、Y、Hf 和 Th 或其氧化物添加于形成 Cr_2O_3保护层的 Fe～Cr 系合金中可以大大提高抗氧化性能。一些结果还表明,把这些活性元素的氧化物用涂覆方法或溅射方法作用合金表面,合金的抗氧化性能也同样可以得到改善。尽管已有许多模型试图解释这种活性元素的作用,但迄今为止,还没有一个为人们所普遍接受。     

团簇沉积C-N薄膜的研究

利用荷能团族沉积装置在高阻硅（111）衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明,薄膜中存在N－sp^3(β－C3N4的键合方式）,但以N－^2C和C＝C双键的结合方式为主。     

硅基材料芯片的组合离子束合成及分析

用组合技术和离子束技术相结合的方法进行了硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元－材料芯片,并对硅基材料芯片各单元进行了卢辐背散射,质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。组合离子束技术的应用将大大提高材料研究的效率。     

矿石中~(206)Pb的14MeV中子循环活化分析

深部铀矿可能在地表显示出~(206)Pb同位素丰度异常,从而通过测定地表~(206)Pb丰度的异常有可能为深部铀矿勘探提供一种手段。14MeV中子轰击Pb同位素引起了多种核反应,我们感兴趣是~(206)Pb(n,2n)~(205m)Pb反应,而~(205m)pb的T_(1/2)为5ms,发射两条γ射线的能量分别为990keV、700keV,这些γ射线的强度正比于~(206)Pb的丰度。对于短寿命核素我们采用Giuens提出的循环活化分析方法,可以直接测量~(205m)Pb的γ谱。