He+、N+注入GaN的背散射和电学特性研究

采用背散射／沟道（RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质的结晶品质。研究了He^ ,N^ 注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下，氮气保护退火30min，用GaN法测量电阻率。测量结果表明：GaN的电阻率增大7－8个数量级。在200－400℃下退火，电阻率变化最大。经高温（600－700℃）退火后，电阻率仍比注入前大3－4数量级。