YBCO／LCMO双层膜微结构的HREM研究

La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜是一种典型的巨磁阻(CMR)材料,在信息存储领域具有广阔的应用前景[1,2](如磁记录读出磁头等),而LCMO与高温超导材料YBa2Cu3O7(YBCO)组成的双层薄膜更显示出许多奇特的物理性质[3]。由于薄膜的微结构对其物理性能有很大影响,因此研究薄膜的微结构有助于对此类材料的磁性与超导电性相关机制的理解。本文利用高分辨电子显微镜系统地研究了YBCO/LCMO双层薄膜的显微结构。本文使用的YBCO/LCMO双层薄膜样品是在(100)LaAlO3(LAO)单晶衬底上,用脉冲激光沉积法制备的。制备的程序是:首先在衬底上沉积LCM…     

ION BEAM STUDY ON EPITAXIAL GROWTH FEATURES OF YBaCuO FILMS

The epitaxial growth features of YBa2Cu3O7-x (YBCO) films on (100) SrTiO3 substrates have been studied by Rutherford backscattering spectrometry and axial channeling technique. A typical minimum yield value, Xmin, of Ba yielded in channeling spectrum is 4.6 % for the film of 166 nm. Only (00L) peaks appeared in X ray diffraction patterns of the films. The results indicate that the YBCO films have good epitaxial growth quality with c- axis orientation perpendicular to the substrate surface. Simulation of RB process in films and substrates have also been performed using RUMP program, and analysis shows that compositions of the films are uniform with near (123) stoichiometry. The higher interface yields in the aligned spectrum reveal that there are extra defects in the interface layer owing to lattice mismatch and interface interaction.     

并联分流超导磁体抑制局部已出现的完全失超的实验观察

采取在杜瓦瓶外受控并联暂时局部分流的方法,有可能在较高的全电流密度(J～10~4安/厘米~2,铜超比2:1)情况下,抑制局部已经出现的完全失超的发展,使磁体仍回复到完全超导状态继续工作。报道了在内径为6厘米的 Nb-Ti 单线绕制的磁体上对这个现象的观察和分析。     

氧化物高温超导薄膜制备技术的进展

本文较系统地介绍了高温超导薄膜的制备方法与生长机理,讨论了生长工艺与薄膜超导性能之间的关系,并对高温超导薄膜的异质外延、多层膜结构及超晶格制备等一些最新进展作了介绍。     

Pr1—xSrxMnO3体系价带的光电子能谱研究

对于x从0．0到0．4之间变化的Pt1-xSrxMnO3多晶体所进行的价带光电子能谱实验显示，在Fermi边和Fermi边以下－12eV范围内出现的能带态密度随掺杂量x有一个显的变化。对这些现象以Pr1-xSrxMnO3体系在基态下发生电荷转移为出发点进行了讨论。提出了随掺杂量x的非线性电荷转移机制和存在由电荷转移导致的二级相变的可能性。     

ZrO_2双晶衬底上生长的YBaCuO超导薄膜晶界结显微结构研究

ＺｒＯ２双晶衬底上生长的ＹＢａＣｕＯ超导薄膜晶界结显微结构研究俞大鹏戴远东王世光胡晓东王守证熊光成连贵君王永忠张泽＊（北京大学物理系，北京１００８７１＊中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）在不同取向的双晶衬底上生长ＹＢａＣｕＯ超导薄膜（超导...     

气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Ｓｉ（１００）片上制备了一系列的ＣｅＯ２膜。Ｘ射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的ＣｅＯ２膜为（１１１）取向,在较高的氧压了生长的膜则为（１００）取向。研究表明,ＣｅＯ２膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对ＣｅＯ２薄膜结晶取向影响的可能机理。     

CeO_2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀积方法在 Si(10 0 )衬底生长了具有 (10 0 )和 (111)取向的 Ce O2 外延薄膜 ;研究了 N离子轰击氮化 Si衬底表面处理工艺对 Pt/ Ce O2 / Si结构电学性质的影响 .研究结果显示 ,利用 N离子轰击氮化 Si表面 /界面工艺不仅影响 Ce O2 薄膜的生长结构 ,还可以改善 Ce O2 与 Si界面的电学性质     

CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生长了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜;研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响.研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质.