脉冲激光沉积CMR薄膜靶材温度场的模拟研究

本文采用数值模拟的方法分析了脉冲激光沉积(PLD)薄膜过程中激光烧蚀靶材表面温度场的分布,计算了激光功率密度对温度场的影响和在合适激光功率密度下靶材表面温度场的分布和烧蚀深度,分析结果可为提高PLD制膜的质量提供理论指导。     

脉冲激光沉积La1／3（Ca2／3Sr1／3）2／3MnO3薄膜结构及输运特性的研究

采用PLD法在LaAlO3（012）单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3（Ca2，3Sr1/3）2，3MnO3（LCSMO）薄膜。薄膜的x射线衍射谱表明，薄膜具有铫钛矿赝立方结构，且具有（012）方向的择优取向：用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析，发现薄膜表面相对比较平坦；在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试，电阻一温度试验曲线表明，在温度77K～400K的范围内薄膜呈现类半导体特性，没有金属一绝缘体转变温度（TM1）出现；薄膜的红外透射谱在606cm。处宵一个很强的吸收峰，由红外透射谱计算出光学能隙氏。。大约为0．7eV，薄膜的光学折射率为1．373。分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的。     

La 0.9 Ce 0.1 MnO 3薄膜的输运特性和光诱导效应

用脉冲激光沉积（PLD）法制备了钙钛矿锰氧化物La（0.9）Ce（0.1）MnO3（LCEMO）单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿（100）方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻（CMR）效应,相变温度（T_（MI））为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0＋R1T-2＋R2T^4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光（532nm,40mW）作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系：R（t）=R0＋Aexp（—t/r）,说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.