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本文介绍一个正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序。作者采用最小二乘褶积法分 解出正电子在材料中湮没的本征谱;计算电子动量分布及动量密度分布;并把本征谱分解成高斯成分和倒抛物线成分(或者二个高斯成分)。程序主要分成二部分,第一部分参照Eiyoshishizuma提出的与模型无关的褶积法分解出湮没的本征谱。第二部分是用非线性最小二乘拟合迭代法分解本征谱,并计算弗米能E_f和湮没比值f。 相似文献
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在照射前先用TBP萃取-阴离子交换法从大量铀中分出极微量的希土,并制成活化分析的样品,利用反应堆的中子流进行照射(活化)。照射过的样品经过溶解,氟化物、氢氧化物沉淀(或再进行草酸盐沉淀)纯化。最后用阳离子交换法分离各个希土,测量其放射性,从而分别定量测定其含量(在一定条件下可不用阳离子交换法分离,而直接分解衰变曲线)。本法应用于二氧化铀中希士元素的分析,得到满意的结果。其精密度为30%左右。各元素的分析灵敏度(每克样品中能检出的该元素含量):Dy5×10~(-10)克、Gd5×10~(-9)克、Eu5×10~(10)克和Sm1×10~(-9)克。本法可作为希土元素分析(如光谱分析)的对照分析方法。 相似文献
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利用正电子湮没测定技术,研究~(22)Na的β~+粒子对D-、L-、D,L-亮氨酸的不对称作用。实验发现β~+粒子(右旋电子)作用于亮氨酸异构体,三重态正电子素(o-Ps)优先在L-亮氨酸中形成。这一实验说明基本粒子的手征不对称,通过电弱作用力对氨基酸对映体立体有择,在原初状态(Prima-ry State)可被灵敏探针检测到。 相似文献
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用正电子素Ｏ－Ｐｓ研究心亚甲兰为光敏剂在甲醇和水体系中激光诱导单态氧＾１Ｏ２的形成，理论推导了一Ｏ－Ｐｓ湮没率的改变与亚甲兰浓度之间的关系，经与实验结果对照证实了单态氧的产生。 相似文献
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我们用S.J.Tao提出的最小二乘法拟合多指数曲线的计算方法来分解实验测得的正电子湮没寿命谱。由于测试仪器有一定的分辨率,因而实际测到的计数F_i(t)与真实的强度N_i(t)之间有差异。这种差异在寿命谱的起始部分表现得十分强烈(见图1)。 在我们的实验中,仪器分辨率为260ps,道宽为43.5ps,一般从t～330ps以后,按2或3组分拟合分解寿命谱。在不使用“去卷积”方法扣除分辨函数的影响时,舍去起始的7～8个实验点。 相似文献
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一、引言 在电子-正电子湮灭中,由于质心的运动,在实验室系中测得的511keV湮灭光子能谱会有一个多普勒加宽。同时,在湮灭时由于正电子已接近于热化状态,其动量与电子动量相比可以忽略,因此,多普勒加宽谱实际上表征了与正电子发生湮灭的电子的动量分布。由于这类分布与材料的电子结构以及各种缺陷都有密切的联系,因此,近年来,湮灭多普勒加宽谱的测定方法已开始在固体物理研究中有了实际的应用。 本工作用高分辨率的Ge(Li)谱仪,对正电子在几种金属中的多普勒加宽谱进行了实验测定。根据所测得的全能峰的谱形,应用最小二乘分析法,在PDP-11小型计算机上进行了实验数据的拟合,由此给出了 相似文献
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针对硅基系统级封装技术的发展需求,以及硅基板上传统的信号传输结构传输损耗大、抗串扰能力差等问题,提出一种新型的硅基双介质集成同轴传输结构。 该结构基于体硅微加工工艺设计而成,具有全封闭式的外导体以及单晶硅和空气两种介质。由于结构的复杂性,提出等效矩形同轴传输结构设计方法来简化设计流程,并用有限元仿真验证了此设计方法的有效性。 将双介质集成同轴传输结构与硅基板上的若干传统传输结构的性能进行仿真对比,结果表明该新型传输结构具有更低的插入损耗及更好的抗串扰性能。最后,制备了双介质集成同轴结构和相应的硅基带状线实物样品并进行了测试对比,测试结果与仿真结果保持一致并较好地验证了仿真分析的结论。 相似文献
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