中子活化分析法测定高纯硅中的痕量杂质

一、前言随着半导体工业的发展,对硅单晶的纯度要求越来越高,硅单晶中的杂质水平,一般在ppb级以下。因此,硅单晶中痕量杂质的分析,用一般的化学分析方法已不能满足要求。目前,多采用灵敏度高的中子活化分析方法。本工作采用非破坏性的中子活化分析方法,分析了不同硅材料厂提供的硅多晶和区熔硅单晶样品,给出了Cu,Na,Au,La,Ga,Sb,Cr.Sc、Fe、Ni、Zn.Ag.Cs、K.Ce等十六种杂质元素的含量或探测极限值。     

VB对气象数据图形报表的自动生成

通过VB编程对大量数据进行统计的同时,导出到Excel电子表格当中快速生成所需要的各种类型报表。充分利用Execl的强大报表功能,使得VB与Excel虽分别属于不同的应用系统,但有机地结合在一起,方便用户对数据图形报表的自动生成,完善分析、服务功能。     

优质吸除硅片本征吸除能力的研究

本工作采用反应堆中子活化分析与化学腐蚀剥层相结合的方法,进行本征吸除硅片对重金属杂质吸除能力的研究。 用高温热处理法,将一定量的金引入本征吸除硅片内,制成引入金的测试样片。将样片置于反应堆内辐照,使杂质金活化。辐照通量为:2.6×10~(13)n/cm~2·s,辐照60小时,冷却3天。活化后的样片,用特制的聚四氟乙烯模具掩模,进行化学剥层处理,单次剥层厚度为10μm或20μm,剥层误差小于3％。蚀刻液用SCORPIO-3000多道分析器作~(198)Au的γ-谱分析。     

掩模、刻蚀剥层-堆中子活化分析法测定硅片中金的纵向分布

本文研究了与堆中子活化分析法相结合的硅片掩模、刻蚀剥层技术及在此基础上建立的硅片中金的纵向浓度分布测定法。 采用自行设计的模具法掩模,操作方便、掩模可靠,模具耐腐蚀性能强,尤其适合放射性样品操作。通过研究刻蚀剂组份、刻蚀时间、刻蚀温度对刻蚀速率的影响,可提供合适的刻蚀剥层方案。用本法掩模和剥层,可连续进行单面或双面刻蚀剥层,每层厚度为5-20微米,总厚度偏差±3％。