分步偏压溅射法制备碳化硅薄膜

采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.     

轻重离子焦面探测器性能的在束检验

用核反应＾１９７Ａｕ（＾１２Ｃ，＾１２Ｃ），＾１２Ｃ（＾１２Ｃ，＾１２Ｃ）和＾２７Ａｌ（＾１２Ｃ，Ｘ）的反应产物对探测器的位置、能量和粒子分辨作了在束检验。实验结果为：该探测器的第一位置灵敏探测器的位置分辨好于２ｍｍ；能量损失和剩余能量探测器的能量分辨分别为５．６％和７．１％；总能量的能量分辨为３．７％。＾１３Ｃ和＾１２Ｃ离子，＾１１Ｃ和＾１２Ｃ离子可以很好地分开。该探测器的各项指标，已接近国际上     

半导体探测器的测试和应用

本工作主要是通过对大量的金硅面垒型和锂漂移型硅半导体核辐射探测器在空气中、真空中和冷却情况下的测试,了解影响能量分辨率、时间分辨率和使用寿命的因素,掌握探测器的最佳使用条件,从而应用这种探测器进行核反应带电粒子能谱、核衰变能谱及甄别粒子的测量,并取得了一些较好的结果。