中子辐照条件下表层污垢碳化硅包壳的初级离位原子能量分布研究

本文采用了蒙卡方法对中子辐照以下的表层污垢碳化硅的初级离位原子（PKA）进行研究,利用蒙卡方法模拟中子的运行轨迹,碰撞类型与能量变化,以此根据动量能量守恒来反推出被撞击原子形成PKA的过程以及计算出PKA的能谱与散射角,并与推导出的理论公式的计算值进行对比。本次模拟共采用了几种能量的中子（0.1 MeV、0.5 MeV、1 MeV、1.5 MeV、2 MeV、4 MeV）分别进行模拟,给出了中子辐照条件下碳和硅两种元素的PKA的能量分布图,本文给出的模拟数据也与公式推导理论值吻合较好。