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I/F(电流,频率)转换电路本质上是一个电荷平衡武转换电路,利用电荷平衡法,输出脉冲频率与输入电流有精密的线性关系。文章介绍了一种基于高增益斩波自稳零运放的I/F转换器,使电路本身能够对零位和漂移进行自校正。经测试该转换器具有高精度、低漂移、良好的线性度及较宽的频率范围等优点,有着良好的市场前景。可广泛用于导航、雷达、遥控遥测、模拟信号传输、数据采集和通讯系统、现代导航系统等领域。 相似文献
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悬臂梁式硅微加速度计的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构。为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片。利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装。经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10–3g,非线性<5×10–4,质量为9.6g。 相似文献
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采用开关电容器的电路形式,通过负反馈系统反馈电荷影响采样-积分幅度的思路设计了解调器电路对有效信号进行解调。同时加入补偿子电路,以便消除电路的失调,提高电路的线性度。 相似文献
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研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。 相似文献
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单轴硅微加速度传感器的原理与电路设计 总被引:3,自引:0,他引:3
单轴硅微加速度传感器将敏感部分与外围信号调理电路集成在一起,成为一个完整的加速度测量系统。系统除供电电源外不需要任何外加因素,能够实现电路的无触摸启动工作。敏感部分采用差动电容式结构具有高灵敏度、宽量程、较低的非线性误差、外围电路简单等优点。外围电路将敏感输出信号相位调制后,通过解调输出。解调电路采用开关电容(SC)的形式,通过负反馈系统反馈电荷影响采样一积分幅度的思路,设计电路对有效信息解调。本文介绍单轴硅微加速度计敏感部分的原理与外围调理电路的设计思路。 相似文献
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阐述了高可靠性、低纹波、双路独立输出DC/DC变换器的方案选择、电路设计、可靠性设计及研制结果。其性能指标达到国际先进水平。 相似文献
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