硅(锂)X射线探测器

本文扼要地叙述了近年来硅(锂)X射线荧光谱仪的进展,X射线荧光谱仪对半导体探测器的要求,和对探测器几何形状的选择。文章详细地介绍了硅(锂)X射线探测器的制备工艺,及用该工艺流程制备的灵敏面积为12毫米~2、厚度3.5毫米的探测器,在温度～77°k时给出电容<1微微法,而反向电流,一直到1000伏的反向偏压下仍～10~(-13)安。配上脉冲光反馈前置放大器后,电子学系统的噪声FWHM(简称半宽度)为249电子伏的情况下,对~(55)Fe的5.9千电子伏的谱线得到半宽度为291电子伏。最后对上述结果简单地给予讨论。     

小型Si(Li)β辐射探测器的制造

本文主要叙述中子嬗变掺杂(NTD)单晶硅中~(31)P分布测量使用的小型Si(Li)β辐射探测器的制备工艺。     

CdTe核辐射探测器

近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14),     

CdTe核辐射探测器(扩散型)

CdTe核辐射探测器是近年来发展起来的有希望的一种化合物半导体探测器。目前,采用CdTe材料已制成扩散型、面垒型、离子注入型、同轴型等探测器。而扩散型探测器是早期开展的工作,1971年А.И.Калучина等人制成了扩散型CdTe探测器,对~(241)Am 59 keV的γ射线获得7 keV的能量分辨率(FWHM)。