N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.     

MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术

以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2Gy,而MTM（Metal-To-Metal）反熔丝0．6和0．25pm工艺RTS4SX的总剂量效应,器件表现出好于1000Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。