永磁镜场边引出潘宁型离子源的研制与初步应用

本文介绍永磁镜场边引出潘宁型离子源的原理、结构特点、实验结果及应用。该源具有电离效率高,引出束流密度大和小巧轻便等优点,能提供总束流大于1mA的多电荷重离子束或轻离子束。其中多电荷离子比例较大。用N_2和BF_3等气体实验,~(14)N~+和~(11)B~+的离子比分别达到80％和60％。在离子注入机上初步应用,~(11)B~+靶流达300μA。     

永磁微波离子源

介绍了2.45 GHz袖珍永磁微波离子源的进展,源的外廓尺寸Φ100 mm×100 mm,重量小于5kg.它可工作于脉冲和连续两种放电模式.在微波功率500 W、引出电压45 kV及等离子体电极发射孔径为5 mm的条件下,对于脉冲模式,峰值流强为100mA,束流密度500mA/cm2;而对于连续模式,流强为60mA,束流密度300 mA/cm2.两种模式的质子比均可达到80%,归一化均方根发射度小于0.1 πmm·mrad.     

强流脉冲离子束发射度的测量

介绍了一台基于多缝单丝法的强流离子束发射度仪,讨论了发射度仪硬件的系统构成和设计要点,并对测量计算软件进行了介绍.利用该发射度仪对北京大学重离子物理研究所电子回旋共振(Electron cyclotronresonance,ECR)离子源引出的强流脉冲质子束的发射度进行了测量,并对测量数据进行了分析.     

提高J5960A型60kV离子注入机的B~+束流强度

本文介绍了提高J5960A型60kV离子注入机B~+束流强度的实验研究与改进工作。通过改进离子源和引出系统使机器的B~+束流由原来的几个微安提高到50μA,此外,还可用作注H~+、He~+、Be~+、C~+、N~+、O~+、F~+等。其中N~+、He~+、H~+的靶流可大于100μA,扩大了该机的应用范围,并提高了工作效率。     

静电单透镜在低能强流离子束输运中的应用

本文介绍北京大学重离子所RFQ组利用静电单透镜进行低能强流离子束束流输运的情况.在北京大学1 MeV ISR RFQ加速器的升级改造中,我们在低能输运段使用了2个静电单透镜进行调束,当引出电压为22kV时,在RPQ入口处得到了归一化均方根发射度为0.12 7× mm·mrad、峰值流强6 mA的脉冲氧离子束(相当于24mA质子束流).以及用静电单透镜聚焦强流氢离子束的初步实验实验.     

永磁镜场边引出PIG离子源

本文介绍永磁镜场边引出PIG离子源的结构、磁场设计和实验结果。用H_2、BF_3、N_2或Ar作放电气体,在弧功率50～150W情况下,引出总束流大于1.0mA。其中H_1~ 和B_(11)~ 的比例分别达到90％和50％;得到的最高电荷态离子有B_(11)~(3 ),N~(5 ),Ar~(6 )。     

新型系列超高真空闸板阀

一、前言 北京大学同上海先锋电机厂合作,共同设计、试制了一台4.5MeV单级静电加速器。目前,这台加速器正在进行安装前的各个部件的调试工作。在该加速器长达80米的束流管道上和所有真空机组上。共设计了36个四种尺寸的超高真空闸板阀,即口径分别为75、100、150(图1)、250毫米。阀门结构简单,特别容易加工,使用可靠。近三年来的使用表明,它的各项指标全部达到了设计要求,取得了满意的结果。上海先锋电机厂已把这些阀门系列化,即“CG系列超高真空闸阀”,作为产品进行生产,已经销售到许多单位。本文将简要介绍该阀门的结构及其特点。 二、阀…     

强流RFQ加速器注入器的研究进展

用于中子照相的2MeVRFQ加速器须注入50 mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2 π-mm-mrad.а=1.93,β=5.16cm/rad.为此,我们建立了两台基于2,415 GHz的永磁微波离子源实验台.当微波功率小于450 w时,引出氢离子流的总流强大于80 mA,质子比好于90%,束流的归一化均方根发射度约为0.2-0.3π-mm-mrad.LEBT(低能束流输运线)实验台使用-个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%.为优化源体设计,对源室尺度和放电室内衬材料研究,为源体的优化提供了依据.