Zn掺杂对GdMnO体系的晶体结构影响

系统研究了Gd（1-x）ZnxMnO3（x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0）体系的结构。结果表明,实验样品具有正交对称性结构。当Zn掺杂浓度x≤0.4时,随着Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c减小,而晶格常数a增大,晶胞体积逐渐减小;当掺杂浓度x≥0.6时,Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c增大,而晶格常数a减小,晶胞体积逐渐增大。计算表明Gd（1-x）ZnxMnO3系列化合物的容忍因子在0.76~0.92范围,可以形成稳定的钙钛矿结构。     

圆柱形正比计数管倍增研究

通过分析圆柱形正比计数管内电场强度,运用Diethorn公式得出自制圆柱形正比计数管内倍增发生在距阳极30μm以内区域;其最小工作电压为370~670V,且随阳极和阴极直径增加而升高,但随阴极变化较缓慢。正比计数管阳极丝直径减小导致其附近电场强度增强,工作气压降低可使其平均自由程增大,这些均会增加管内次级电子数而使倍增因子增大。采用细阳极丝、低工作气压既可降低正比计数管最小工作电压,还能优化其放大性能,使其更适合于深空中的辐射剂量测量。     

高斯定理与环路定理在万有引力场中的推广

用类比的方法从静电场中的高斯定理和静电环路定理导出了万有引力场中的"高斯定理"和"环路定理"并定义了引力场强度矢量。通过两个对称质量分布问题的分析阐述了"高斯定理"在简化繁杂积分运算上的应用;由"环路定理"出发定义了万有引力势并将其应用得出了第一、第二宇宙速度。