氘子活化分析同时测定硅中硼、碳和氮

本文叙述用本所1.2米回旋加速器产生的氘子,利用~(10)B(d,n)~(11)C,~(11)B(d,2n)~(11)C,~(12)C(d,n)~(13)N和~(14)N(d,n)~(15)O核反应,同时测定半导体硅中痕量的硼、碳和氮。样品辐照后,采用惰性气体熔融法作快速放化分离,~(11)C、~(13)N和~(15)O分别吸收在烧碱石棉、液氮冷却的5A分子筛和650℃的Hopcalite试剂上,用γ-γ符合测量装置测量各产核的湮灭γ计数,用相对定量法可同时得到硅中约几十ppb的硼、碳、氮含量。相对标准偏差分别为:C<±50％,B<±20％,N<±50％。 方法简单、快速且灵敏度高,是鉴定硅材料中轻元素含量的一个好方法。     

桃林口水库及其下游小水电开发之浅见

桃林口水库建成后，不仅为生活生产提供用水，而且为小水电开发创造了必要条件。本文根据电力供需情况，围绕提高小水电经济效益，对建设调峰电站，建立水利水电综合开发管理网络，发展水利区域经济等问题，提出粗浅见解。     

桃林口水库及其下游小水电开发之浅见

桃林口水库建成后，不仅为生活生产提供用水，而且为小水电开发创造了必要条件。本文根据电力供需情况，围绕提高小水电经济效益，对建设调峰电站，建立水利水电综合开发管理网络，发展水利区域经济等问题，提出粗浅见解。     

氘子活化法测定高纯铜中痕量氮

高纯铜是高真空技术方面的一种重要材料,对其中气体杂质的含量,要求在ppm级甚至低于1ppm。如此低的含量用常规分析方法难以测定。我们用氘子活化法测定氮,测出了铜中低于1ppm的氮含量。     

氘子活化分析同时测定硅中硼、碳和氮

半导体硅是发展电子工业的重要材料,其中含有几十ppb的硼、碳、氮杂质,对硅电子元件的电性能就有不良的影响。本工作利用我所1.2米回旋加速器产生的氘子,同时测定硅中痕量的硼、碳、氮。核反应为~(10)B(d,n)~(11)C、~(11)B(d,2n)~(11)C、~(12)C(d,n)~(13)N和~(14)N(d,n)~(15)O。产生~(11)C、~(13)N、~(15)O三个核素,半衰期分别为20.3分钟、9.96分钟和2.03分钟。选用7MeV能量的氘作轰击粒子,在此能量下,干扰反应~(15)O(d,t)~(15)O、~(16)O(d,αn)~(13)N和~(16)O(d,dn)~(15)O被抑制。另外,~(14)N(d,αn)~(11)C和~(14)N(d,t)~(13)N在此能量下截面很小,可不必考虑其干扰。