LiF—TLD的响应对致电粒子LET的领带性初步实验研究

对LiF热释光探测器（TLD）的响应对致电离粒子的LET的依赖性进行了初步实验研究。用作实验研究的粒子主要是中子,包括热中子和由^7Li(p,n)^7Be、T(p,n)^3He核反应生成的中能中子、快中子（0．018－0．945MeV）及14MeV中子。实验结果表明：LiF(Mg、Cu、P)－TLD的响应对致电离粒子LET的依赖性是显著的。对于较高能量的中子,由LiF-TLD产生的热释光量仅与^6Li、^7Li在LiF-TLD中导致的吸收剂量相对应,这与某些文献的报道相一致。     

LiF-TLD的响应对致电离粒子LET的依赖性初步实验研究

对LiF热释光探测器（TLD）的响应对致电离粒子的LET的依赖性进行了初步实验研究。用作实验研究的粒子主要是中子,包括热中子和由7Li(p,n)7Be、T（p,n）3He核反应生成的中能中子、快中子（0.018～0.945MeV）及14MeV中子。实验结果表明：LiF(Mg、Cu、P)-TLD的响应对致电离粒子LET的依赖性是显著的。对于较高能量的中子,由LiF-TLD产生的热释光量仅与6Li、7Li在LiF-TLD中导致的吸收剂量相对应,这与某些文献的报道相一致。     

6MV韧致辐射光子能谱的实验测定

用穿透系数数值分析的迭代最小二乘法对６ＭＶ稳态加速器的Ｘ射线能谱进行了实验测定,编写了迭代最小二乘法的计算程序。对吸收体的选择问题作了讨论。     

蒙特卡罗方法用于LiFTLD自屏蔽因子的模拟计算

自屏蔽因子是用LiFTLD探测器高精度测量n-γ混合场的重要参数.本文采用MCNP程序对文献中给定尺寸、密度和6Li含量的LiFTLD的自屏蔽因子进行了计算,并与推导的自屏蔽公式、Horowitz等的计算结果进行了比较.同时,对计算结果还专门设计了实验进行验证,证实MCNP计算自屏蔽因子所采用的模型和方法是可靠的.对于文献中没有给出自屏蔽因子的现有的LiFTLD,通过选取合理的模型,用MCNP计算了它们的自屏蔽因子.该研究结果对于n-γ混合场区分测量以及TLD的LET效应的研究都具有重要意义.     

中物院职工个人剂量监测与剂量信息管理系统

个人剂量监测对于放射性工作人员具有重要意义,本文介绍了中物院职工个人剂量的监测概况.根据中物院职工个人剂量数据有效管理的需求,开发了用于个人剂量信息管理的软件IDDMS.文中分析了程序数据库结构、主要模块及统计和打印等功能.该系统是在总结多年个人剂量数据管理工作经验基础上,采用面向对象语言Visual Foxpro 6.0进行开发的.经初步测试,IDDMS可直接用于职工个人剂量日常管理工作,并能方便的打印报表上报有关部门.     

智能交直流电压数据采集系统的设计

针对数据采集与电子测量仪器领域对宽动态范围、高精度电压参数值获取的需求,设计了一种高精度智能交直流电压数据采集系统。该系统基于电压衰减电路,使用单片机STC89C52控制电压衰减器的系数实现量程自动切换;采用测量电压真有效值方案,实现AC/DC的转换;利用12位A/D转换器采集电压数据,在软件中分别应用限幅平均滤波法和线性拟合修正误差技术降低随机干扰和系统非理想特性引入的误差。实际运行结果表明:该系统具有精度高、误差小、操作简单、读数方便等优点,具有广泛的应用前景。     

LiF-TLD对中子响应的LET效应研究

针对LiF-TLD在n-γ混合场的区分测量、抗核辐射加固实验和辅助核查时,存在TLD吸收剂量响应的LET效应问题,开展了TLD对中子响应的LET效应实验研究。研究工作从实际应用角度出发,优选了目前国内重视现性指标最好的LiF-TLD探测器,设计了从热中子至14MeV中子的辐照装置,进行了严格的实验测试和必要的理论计算,得出了LiF-TLD对较宽能区中子响应的LET效应因子。其结果可用于n-γ混合场的区分测量、抗核辐射加固实验和核查。     

γ探头刻度辐射场光子注量测量

设计了带铅屏蔽和能对空间各场点进行定点测量的照射盒.成功地解决了空间各场点定点测量的问题,克服了以前场点测量数据分散性较大的缺陷,并对探测器的屏蔽效应修正进行了实验验证.在此基础上对物理测试探测器刻度用场点的光子注量进行了实验测定,给出了刻度场点的光子注量.     

叠层式探测器响应函数的理论计算和实验验证

光子能谱是脉冲辐射场中的重要参数.叠层式组合探测器可用于测量脉冲辐射场光子注量谱,而组合探测器对各种不同能量的光子的响应函数是光子能谱解谱的基础.本文用MCNP/4C对其响应函数进行了模拟计算,并采用热释光探测技术对典型能量点的γ射线的响应函数进行了实验验证.结果表明,叠层式组合探测器响应函数的理论模拟值和实验测量结果在实验测定精度内符合良好.     

耐高温射线屏蔽材料的制备及性能

核能应用技术的发展对射线屏蔽材料提出了耐高温、抗辐照等要求.氢化锆因其高的氢含量和在高温、射线辐照下的结构稳定性被认为是优良的快中子屏蔽材料,但难以制成大尺寸块体.研究了氢化锆与金属基体材料的反应,采用粉末冶金法获得了对快中子、热中子和γ射线均具有显著屏蔽效果的致密块体屏蔽材料.该材料在600℃仍不会明显脱氢,是一种综...