平面型硅快中子剂量探测器初步研究

介绍了平面型硅快中子剂量探测器,初步探索了探测器的中子剂量响应与PN结长和结宽的关系。基于239Pu-Be中子辐射实验结果,可以得出探测器电压随中子剂量线性变化的结论。对探测器等效电阻进行了计算,给出了测试电流为1~10 mA时平面型硅快中子剂量探测器的电流、电压和中子剂量的关系式。     

全离子注入C_4D研制报告

一、概述为了密切配合离子注入器件应用研究,在工艺尽可能简单、最好不用热扩工艺的思想指导下,我们选择了全离子注入C_4D结构。它是繁多的电荷耦合器件(简称CCD)结构中的一种,具有结构简单、工艺流程短、充分利用离子注入新技术等优点。国外P沟C_4D是采用注磷形成注入势垒来实现非对称表面势。在我们只能注硼的现实条件