离子束电子束多功能材料表面处理设备

本设备由以下系统组成:注入系统,有溅射离子源及不对称三电极加速管,能量50keV,流强4mA(N~+);电子束系统,能量45keV,功率密度10~2—10~6W/ cm~2;配备微机程序的束偏摆装置;靶材易换的磁控溅射靶;可作旋转、平移、升降等机械运动的高真空工作室(φ500×1600mm)。可进行离子注入及混合、电子束上釉及合金化、磁控溅射离子镀等工艺。该设备为材料表面改性和薄膜制备提供了新的手段。     

全方位离子注入技术

等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。     

轻元素深度剖面的离子束分析方法

轻元素深度剖面分析有着许多实际的应用,如:聚变堆第一壁的辐射损伤;结构材料的氢脆;氧化、贮氢材料、超导材料、太阳能材料中氢的分布等。本文介绍用于轻元素深度剖面分析的核反应法、质子弹性散射法、前散射符合法和弹性反冲探测法,并简单介绍这些方法的应用。     

新型微波等离子体源

微波等离子体的一个重要发展是电子回旋共振(ECR)放电,本文介绍ECR放电技术的现状和报告一种新型ECR等离子体源—横磁瓶ECR等离子体源,并叙述其原理和结构。     

亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究

文中描述了用MeV级质子的背散射测定单晶Si薄膜的厚度、厚度均匀性及膜的表面沾污,用质子沟道效应确定了膜的单晶完整程度及表面沾污对膜沟道特性的影响.     

“基本”粒子原子X射线分析

在质子激发X射线荧光分析中,轻元素发射的X射线能量太低,不能进行分析。 负的“基本”粒子如μ~-、π~-、K~-等,入射到物质中时,通过放出Auger电子和X射线而减速,最后到达IS轨道,和物质中的原子核一起形成“基本”粒子原子。这种原子的结合能比普通原子的结合能约大M_m/M_e倍(M_m为“基本”粒子质量,M_e为电子的质量);放出特征X射线