质子激发X射线分析及其应用

本文主要介绍质子激发X射线(PIXE)分析的物理基础和实验方法,提出了薄靶的单标准标定法和厚靶标定的简化公式。最后,介绍了我们将PIXE分析应用于环境、地球化学、生物医学、法学、考古等领域的若干结果。     

同位素源激发X射线分析法测定头发中微量元素

人的头发是排除金属废物的排泄器官。它能“记录”重金属元素在人体内蓄积的情况,是一种优良的“活 体检查材料”,在环境科学、环境生物学方面是一种多元 素的环境指示器,受到广泛的重视。应用放射性同位素 源激发X射线分析技术测定人发中钙、锰、铁、铜、锌 和铅的含量,是一种多元素分析技术,简要介绍如下:     

质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧

一、引言 近年来,由于对半导体材料的需要日益增长,以及制造Ge(Li)半导体探测器技术的迅猛发展,对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现,锗中含的微量氧,对器件的性能会产生很大影响,从而提出了测定高纯锗中痕量氧(氧含量<1ppm)的要求。     

氘子活化分析同时测定硅中硼、碳和氮

本文叙述用本所1.2米回旋加速器产生的氘子,利用~(10)B(d,n)~(11)C,~(11)B(d,2n)~(11)C,~(12)C(d,n)~(13)N和~(14)N(d,n)~(15)O核反应,同时测定半导体硅中痕量的硼、碳和氮。样品辐照后,采用惰性气体熔融法作快速放化分离,~(11)C、~(13)N和~(15)O分别吸收在烧碱石棉、液氮冷却的5A分子筛和650℃的Hopcalite试剂上,用γ-γ符合测量装置测量各产核的湮灭γ计数,用相对定量法可同时得到硅中约几十ppb的硼、碳、氮含量。相对标准偏差分别为:C<±50％,B<±20％,N<±50％。 方法简单、快速且灵敏度高,是鉴定硅材料中轻元素含量的一个好方法。     

氘子活化分析同时测定硅中硼、碳和氮

半导体硅是发展电子工业的重要材料,其中含有几十ppb的硼、碳、氮杂质,对硅电子元件的电性能就有不良的影响。本工作利用我所1.2米回旋加速器产生的氘子,同时测定硅中痕量的硼、碳、氮。核反应为~(10)B(d,n)~(11)C、~(11)B(d,2n)~(11)C、~(12)C(d,n)~(13)N和~(14)N(d,n)~(15)O。产生~(11)C、~(13)N、~(15)O三个核素,半衰期分别为20.3分钟、9.96分钟和2.03分钟。选用7MeV能量的氘作轰击粒子,在此能量下,干扰反应~(15)O(d,t)~(15)O、~(16)O(d,αn)~(13)N和~(16)O(d,dn)~(15)O被抑制。另外,~(14)N(d,αn)~(11)C和~(14)N(d,t)~(13)N在此能量下截面很小,可不必考虑其干扰。     

淤泥的同位素源激发X射线分析

本文叙述了同位素源激发X射线分析法的原理和实验方法,讨论了应用该方法测定淤泥中铬、铜、锌、铅、镉的灵敏度、探测限和精确度,给出了某些河道淤泥和活性淤泥中这五个元素的测定结果。结果表明该方法是一种有效的、快速简便的多元素分析工具。