高能电子对塑封二极管辐照的研究与应用

对１２ＭｅＶ电子辐照塑封二极管进行了研究，列举了样品实验结果，阐述了高能电子的优异性能和这一技术的应用情况。     

12MeV电子辐照在硅器件中的应用

在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多有关高能加速电子辐照硅功率器件以控制少子寿命的文章.我国自1980年以来,也有一些高校、研究所和工厂对能量如1.3MeV和3～5MeV的电子辐照进行了研究,并初步用于某些硅功率器件生产线上.全面衡量各参数,12MeV电子辐照比低能电子或Co-γ辐照更有利于器件全面参数的最佳化.特别对于快速     

NDZ 20 医用电子直线加速器的设计.运行和临床疗效

NDZ20医用电子直线加速器,属行波反馈型,采用改变工作频率、相位、磁控管输出功率及束流负载的方法调整能量,电子线能量从5—20MeV分七档,X线有10、15MV两档,并设有AFC,ARC,ADC等自动稳定频率、剂量率和照射野均匀度等控制系统,对一些主要部件达到较为先进的指标。该机运行已近两年,停机率86年与87年分别为2.14%和3.53%,剂量稳定性等一系列指标均达到或优于国家GBW4-81所规定指标,两年来治疗病人1366人,疗效显著。     

10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。