应用于离子注入的RFQ加速器

射频四极场(Radio frequency quodrupole,RFQ)加速器是一种非常适于用作MeV级能量离子注入的加速器.它具有束流强、体积小、使用方便、离子源处在地电位,还可同时加速正、负两种离子等优点.本文介绍了RFQ加速器在国际上的发展状况及其基本原理、北京大学研制的1 MeV RFQ加速器的具体结构、性能以及一种新型RFQ-SFRFQ组合加速器的特点.     

连续波模式下超导加速器束流负载分析研究

本工作推导了超导加速器在连续波模式时,在点电荷近似条件下,相对论束流负载与腔的相互作用过程的解析表达。同时对北京大学超导加速器平台(PKU SCAF)的束流负载设计进行了初步分析。计算结果表明,当主加速器馈入功率为10kW时,最佳束流负载为1 5mA,此时电子增能为6 6MeV,β因子为4 5×103。     

北京大学6MV串列静电加速器的运行及其应用

北京大学６ＭＶ串列静电加速器上建成４条束流输运线，加速＾１Ｈ，＾１２Ｃ，＾１６Ｏ，＾１９Ｆ，＾３５Ｃｌ，＾７９Ｂｒ等离子，并开展物理实验研究。首次利用Ｄ（＾１２Ｃ，ｐ）＾１３Ｃ核反应建立起高灵敏度的氘分析法；利用共振核反应＾１Ｈ（＾１９Ｆ，αγ）＾１６Ｏ分析材料中氢的深度分布；用重离子背散射分析超导材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ；用３５ＭｅＶ＾３５Ｃｌ和４５ＭｅＶ＾７９Ｂｒ的弹性前冲分析不同材料中的轻     

北京大学RFQ加速器研究进展

北京大学在20世纪90年代末成功研制了1台整体分离环重离子射频四极场(RFQ)加速器ISR-1000,近年来经升级后它可提供1 MeV/2 mA氧离子束流.为提高RFQ加速器在较高能量下的加速效率,北京大学提出并正在研制1种新型分离作用RFQ加速结构(SFRFQ),所建造的加速腔实验样机可与ISR-1000构成组合加速系统,将mA级氧离子加速到1.6 MeV.北京大学参与了"973"项目350 MHz四翼型强流质子RFQ加速器的研究,并研制了1台全尺寸无氧铜工艺腔.北京大学还计划在近年内建造1台中子源用201.5 MHz、2 MeV/50 mA微翼四杆型氘离子RFQ加速器.     

RFQ加速装置同时加速同荷质比正负离子的理论与实验研究

提出用RFQ加速器同时加速同荷质比正负离子的理论,并利用现有的RFQ加速装置进行了实验验证。初步结果表明：采用这一方法可有效提高RFQ加速装置的载束能力。     

高增益自由电子激光光阴极注入器驱动激光系统设计考虑

高增益自由电子激光对电子束团提出了高品质要求 ,只有光阴极微波电子枪能够达到这一目标。光阴极微波电子枪的驱动激光器是这一系统的关键之一。北京大学重离子物理研究所设计的驱动激光系统的指标是提供 2 6 0nm、6～ 8ps宽、5 0 0 μJ的激光脉冲。系统主要由半导体泵浦的钛蓝宝石振荡器、Nd∶YAG调Q泵浦源、再生式放大器、倍频器等组成。系统中采用了腔长调整锁模技术以及相位稳定反馈装置 ,目的是使激光脉冲的时间抖动小于 1 0 ps。     

离子束ns脉冲测量用可变栅距同轴靶

本文讨论了影响同轴靶响应的诸因素以及在离子束ns脉冲测量用同轴靶的设计中的主要问题。在此基础上制成了一个具有可变栅距结构的同轴靶。该靶适用于速度在宽范围内变化的各种离子,曾成功地用于测量β=v/c值低至6.5×10~(-4)的Ar~(+)束脉冲。该靶同轴结构的上升时间约为0.2 ns,曾用其观测到半高宽约为1ns的质子束脉冲。     

深切怀念王大珩老师

<正>王大珩先生是我大学时期的老师。当时他刚从国外回来不久,就亲自创建大连大学的应用物理系并担任系主任。他带领全系老师创建     

600 kV毫微秒脉冲中子发生器研制

研制了600kVns脉冲中子发生器(CPNG 6)。CPNG 6由高压电源(输出电压为600kV,电流为15mA,高压稳定度和纹波均≤0.1%)、2214mm×1604mm×1504mm不锈钢高压电极及安装在内的高频离子源、预加速间隙透镜、初聚焦系统、切割器、90°磁分析器等构成的头部设备,均匀场加速管,漂移管,偏转磁铁,0°直流束和45°脉冲束流管道,无油分子泵真空系统等组成。在脉冲束流管道上安装有强流毫微秒脉冲化聚束装置。阐述了该器的方案要点和各部件的主要技术性能及特点。     

Transmission Degradation of Femtosecond Laser Pulses in Opened Cone Targets

Irradiated by femtosecond laser pulses with different energies, opened cone targets behave very differently in the transmission of incident laser pulses. The targets, each with an opening angle of 71 and an opening of 5 μm, are fabricated using standard semiconductor technology. When the incident laser energy is low and no pre-plasma is generated on the side walls of the cones, the cone target acts like an optical device to reflect the laser pulse, and 15% of the laser energy can be transmitted through the cones. In contrast, when the incident laser energy is high enough to generate pre-plasmas by the pre-pulse of the main pulse that fills the inner cone, the cone with the plasmas will block the transmission of the laser, which leads to a decrease in laser transmission compared with the low-energy case with no plasma. Simulation results using optical software in the low-energy case, and using the particle-in-cell code in the high-energy case, are primarily in agreement with the experimental results.