异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

一种基于正弦映射的混沌交织器设计及应用*

移动信道编码中交织器的设计直接影响Turbo码的距离谱和性能,其主要作用是提高低重序列的输出码重和减小译码输出之间的相关性。随机交织器在数据帧较长时性能比较好,通过码序列位置重置实现交织,利用正弦函数的混沌映射有很好的随机性和瞬时正交性的特点,实现了一种新型混沌随机交织器,提高了交织器的误码率性能,并且在伽利略卫星系统中应用达到接近理论值的编码效率和误码率的特性。     

调节阀检修重点及故障处理

调节阀也叫执行器,是自动调节中必不可少的一个环节,在工厂的运用非常普遍,尤其在石油化工行业。结合实践经验,介绍调节阀检修重点、投产时注意事项、运行期间常见故障原因分析及处理。1调节阀检修重点(1)阀体内壁:对使用于高压差及有腐蚀性介质     

跌扩型底流消能工压力分布特性的试验研究

通过水力学模型试验着重分析了突扩比、跌坎深度和入池水流弗劳德数Fr0对消力池底板冲击区动水压力的影响。研究结果表明,在跌扩型底流消能工中,选择合适的突扩比、跌坎深度和入池水流弗劳德数Fr0,能有效降低消力池内底板和边墙的水力学指标。他们在一定的最优组合下,可既保证消力池中消能率高,又能满足消力池底板和边墙处动水冲击压力小的要求,避免造成底板板块的失稳破坏。     

CO2地质储存过程中地球化学反应数值模拟研究

CO₂地质储存是实现碳达峰碳中和目标的重要途径,地球化学反应模拟是进一步论证CO₂地质储存技术可行性的重要环节。总结地球化学模拟技术研究进展,采用单一的模拟软件开发与其他软件搭接的形式,以便更加准确地研究矿物溶解与沉淀、孔隙度、渗透率等多方面问题,全面整理各种模拟方法与优势,分析未来存在的挑战,为地质储存技术在地球化学模拟方面的研究提供参考。     

标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究

设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nm空间调制(Spatially Modulated,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTRE环境中等效电路的新模型.提出标准CMOS工艺下SM探测器与前置放大电路单片集成的电路设计.仿真结果表明,在850 nm光照下,SM探测器带宽达到400 MHz,并提供62 mA/W的响应度.整个集成芯片的工作速率为400 Mb/s,增益为0.81 kV/W,功耗为91 mW.     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算

在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 ,给出一种较直观的脉冲激光辐照有限厚双层材料Zn/InP的温度分布解析形式     

Nd:YAG连续激光诱导下硅中钛过饱和掺杂研究

为了在硅中掺入过饱和的过渡金属杂质,采用自行设计的线形大功率Nd:YAG激光辐照表面溅射钛的硅片,对辐照后样品进行了俄歇电子能谱测试,利用2维热力学模型,对连续激光扫描的过程进行了热力学模拟。结果表明,硅中的钛掺杂浓度远高于钛在硅中的固溶度,钛的最高浓度在表面下方一定距离处;硅片中的最高温度并不在硅的表面,温度分布导致了钛的分布不在表面;模拟结果与实验结果吻合得较好。线形连续激光能够通过对材料表面扫描辐照的方式进行加工,实现过饱和掺杂。     

基于传感器融合预测的改进跟踪前馈控制方法研究

针对光电跟踪系统中CCD相机反馈帧率较低，延迟较大导致跟踪高速目标能力差、响应能力差的问题，提出一种基于传感器融合预测的改进跟踪前馈控制方法。为减小融合获得目标高阶运动状态噪声大的问题，提出一种基于微分跟踪的传感器融合策略；针对图像反馈延迟问题，提出一种降阶匀加速Kalman模型，根据融合获得的运动学信息，结合Kalman滤波进行预测跟踪，补偿脱靶量的时间延迟，得到近似真实的目标位置和速度、加速度信息；针对低频输入信号引入闭环扰动问题，提出一种快速数据扩展方法，实现低频信号到高频信号的扩展；根据传感器融合预测结果，设计跟踪前馈控制器，提高系统的响应速度。仿真结果和实验结果均表明该前馈方法能够对CCD反馈延迟导致的跟踪误差进行补偿。实验结果表明：该方法能够大幅提高系统对高速目标的跟踪性能，在目标运动状态相同条件下，相比补偿前跟踪误差减小约83.67%。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究

以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。