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对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶痕量重金属杂质进行中子活化分析。(2)在同样深辐照条件下对CZ与FZ单晶的β-低本底剩余放射性进行跟踪测量,所得到的放射性强度衰减曲线表明CZ与FZ是一致的,同样可以采用NTD技术。(3)低阻CZ硅单晶中子嬗变掺杂工艺研究,根据目标电阻率,适当地选择电子移率μ_e值,通过实验与校正,得到合理的掺杂系数K值。保证掺杂精度,使晶体掺杂的命中率获得显著提高,与常规掺杂相比由原来的40%提高到90%左右。径向不均匀性Δp≤5%,径向微区不均匀性Δp_m≤3~5%。首批量低阻CZ NTD硅的研制及其压敏器件生产中的应用,获得良好的效果,压敏器件性能达到规定标准,并明显地优于普通CZ硅材料的产品,成品率和优品率由40%提高到60%。 相似文献
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对压敏器件用低阻NTD CZ Si(直拉硅)的深辐照工艺进行了研究,主要包括三个方面内容:(1)配合自然单晶生长工艺的改进,对CZ与FZ单晶痕量重金属杂质进行中子活化分析。(2)在同样深辐照条件下对CZ与FZ单晶的β-低本底剩余放射性进行跟踪测量,所得到的放射性强度衰减曲线表明CZ与FZ是一致的,同样可以采用NTD技术。(3)低阻CZ硅单晶中子嬗变掺杂工艺研究,根据目标电阻率,适当地选择电子移率μ_c值,通过实验与校正,得到合理的掺杂系数K值。保证掺杂精度,使晶体掺杂的命中率获得显著提高,与常规掺杂相比由原来的40%提高到90%左右。径向不均匀性Δρ≤5%,径向微区不均匀性Δρ≤3~5%。首批量低阻CZ NTD硅的研制及其压敏器件生产中的应用,获得良好的效果,压敏器件性能达到规定标准,并明显地优于普通CZ硅材料的产品,成品率和优品率由40%提高到60%。 相似文献
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本文研究了与堆中子活化分析法相结合的硅片掩模、刻蚀剥层技术及在此基础上建立的硅片中金的纵向浓度分布测定法。 采用自行设计的模具法掩模,操作方便、掩模可靠,模具耐腐蚀性能强,尤其适合放射性样品操作。通过研究刻蚀剂组份、刻蚀时间、刻蚀温度对刻蚀速率的影响,可提供合适的刻蚀剥层方案。用本法掩模和剥层,可连续进行单面或双面刻蚀剥层,每层厚度为5-20微米,总厚度偏差±3%。 相似文献
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