基于脉冲功率装置的圆柱腔体系统电磁脉冲研究

通过在中国工程物理研究院流体物理研究所的脉冲功率装置上开展圆柱腔体X射线辐照实验,研究了腔体系统电磁脉冲（腔体SGEMP）效应。应用一种网拍天线进行了圆柱腔体中电场的测量。此外,通过时域有限差分（FDTD）和粒子模拟（PIC）的数值方法,进行了腔体内电磁场的计算。研究发现,腔体内的气体会显著降低电场强度,而电场强度也会随剂量率的增加而增加。     

SIP外壳内受X射线激发的电磁干扰环境

本文估算了系统级封装（SIP）外壳内，受脉冲X射线辐照产生的电磁干扰（EMI）环境。首先通过蒙特卡罗数值方法计算了可伐合金及印制电路板（PCB）表面受X射线辐照激发电子的产额和能谱，并基于该计算结果开展了电子自洽运动的数值模拟。利用时域有限差分法（FDTD）和粒子模拟技术（PIC）对电子产生电磁场的过程进行了仿真。计算结果表明，电子的运动使得电子发射面附近的EMI环境最强。此外，从频谱可看出，电磁干扰主要集中在低频部分，且频率取决于X射线的时间参数。通过减小SIP外壳的受辐照面积及高度可降低外壳内的EMI环境强度。