脉冲光反馈电荷灵敏前置放大器

从六十年代中期Elad等人制造出第一台半导体X射线谱仪以来,低噪声前置放大器的研制发展很快,先后出现电阻反馈、直流光反馈、脉冲光反馈及漏反馈等技术。目前,多采用后两种,其零电容电子学噪声可达70—80eV(FWHM,Si),用于Si(Li)X射线谱仪系统时,对5.9keV射线的能量分辨率在150eV左右。     

低噪声脉冲光反馈电荷灵敏前置放大器的进展

本文介绍用于低能X射线Si(Li)谱仪低噪声脉冲光反馈电荷灵敏前置放大器的进展,其零电容电子学噪声FWHM=85-110eV(对Si),并给出实验结果。     

CdTe核辐射探测器

近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14),     

CdTe核辐射探测器(扩散型)

CdTe核辐射探测器是近年来发展起来的有希望的一种化合物半导体探测器。目前,采用CdTe材料已制成扩散型、面垒型、离子注入型、同轴型等探测器。而扩散型探测器是早期开展的工作,1971年А.И.Калучина等人制成了扩散型CdTe探测器,对~(241)Am 59 keV的γ射线获得7 keV的能量分辨率(FWHM)。     

CdTe计数器在放射性同位素生产工艺流程中的应用

一、前言在放射性同位素的系统分离流程中,直观地监测整个流程,对提高同位素的回收率和纯度都是很有好处的。若这种监测是以γ射线为对象时,强的γ射线场(强度在几十毫居里—几十居里范围)使得卤素管计数器的寿命(10~9—10~(10)次计数)也不能胜任。NaI(TI)闪烁计数器在这样强的γ场中,需要十分庞大的屏蔽,而且它的价格是昂贵的,这些问题对同位素生产都是不方便的。我们试验了以CdTe探测器作为积分计数器进行同位素生产工艺流程的监测。     

高分辨Si(Li)探测器系统

一、引言Si(Li)探测器系统主要包括Si(Li)探测器、低噪声前置放大器、低温装置等。Si(Li)探测器系统配上测试系统即组成Si(Li)X射线荧光谱仪,广泛应用于科学研究和工矿企业。     

用于高分辨率核谱仪的光电反馈前置放大器

本文对光电反馈电荷灵敏前置放大器做了比较详细的描述,给出目前得到的前置放大器的分辨率FWHM(半宽度)在主放大器成形时间常数τ为10微秒时的结果为172电子伏。采用性能较好的Si(Li)探测器。整个谱仪对~(55)Fe源的5.9千电子伏MnK_αX射线的分辨率FWHM为324电子伏(主放大器成形时间常数τ为3微秒)。最后对上述结果进行了讨论。