Tb（Fe,Ti）12的磁相图

采用成分准确的单晶样品进行磁性测量,得到了１．５－６００Ｋ温度范围内整个ＴｈＭｎ１２结构ＴｂＦｅ１２－ｘＴｉｘ（ｘ＝０．８－１．４）的磁相图。     

Ni52Mn24Ga24金属间化合物的单晶生长和磁性功能

研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变,发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象,在1.2T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上,实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向。报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法,根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动。     

利用单模光纤中调制不稳定性产生超连续激光光谱的研究

根据皮秒光脉冲在光纤中传输时所满足的非线性薛定谔方程,利用数值模拟方法,研究了利用准连续波作为初始输入脉冲、利用单模光纤中的调制不稳定性和光子晶体光纤的高非线性效应产生超连续激光光谱（SC）的新方法。探讨了SC的形成机理,研究了不同条件下SC的形成过程,研究结果表明：准连续波光脉冲峰值功率越高、初始脉宽越宽,越有利于SC的产生;超连续谱向长波长方向的展宽要受到光子晶体光纤长度的影响,要想获得平坦的宽带SC,必须采用合适的光子晶体光纤长度。     

The Effect of Gas Flow Rate on Radio-Frequency Hollow Cathode Discharge Characteristics

It is known that gas flow rate is a key factor in controlling industrial plasma processing. In this paper, a 2D PIC/MCC model is developed for an rf hollow cathode discharge with an axial nitrogen gas flow. The effects of the gas flow rate on the plasma parameters are calculated and the results show that： with an increasing flow rate, the total ion（N＋2, N＋） density decreases, the mean sheath thickness becomes wider, the radial electric field in the sheath and the axial electric field show an increase, and the energies of both kinds of nitrogen ions increase;and, as the axial ion current density that is moving toward the ground electrode increases, the ion current density near the ground electrode increases. The simulation results will provide a useful reference for plasma jet technology involving rf hollow cathode discharges in N2.     

Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)金属间化合物的单晶生长和磁性功能

研究了 Ｎｉ５２Ｍｎ２４Ｇａ２４合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变．发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象．在 １．２ Ｔ磁场的作用下,可逆的相变应变达 ４％以上实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的 Ｚｅｅｍａｎ能驱动变体间孪晶界的移动     

La0.67Sr0.33-xCuxMnO3的室温磁电阻效应

采用溶胶一凝胶(sol-gel)法制备了名义组分为La0.67Sr0.33-XCuXMnO3(x=0～0.33)的多晶样品,发现用Cu替代少部分Sr后样品的室温磁电阻比替代前的明显增大.在1.8T磁场作用下,当x＝0.15时,磁电阻峰值为27.7%,峰值温度为306K,当温度低于306K时磁电阻值随温度的升高而增大,当温度高于306K时磁电阻值随温度的升高而减小;当x＝0.1时,在295K-310K温度之间磁电阻值达19%左右,受温度影响很小;因此在提高了室温磁电阻值的同时,又提高了磁电阻的温度稳定性.这对于该类磁电阻材料的应用具有很大意义.